[發明專利]制造晶粒取向電工鋼帶材的方法及由此制得的晶粒取向電工鋼有效
| 申請號: | 201080059998.2 | 申請日: | 2010-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN102686751A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | S·福爾圖納蒂;G·阿布魯澤塞;L·布拉克 | 申請(專利權)人: | 塔塔鋼鐵艾默伊登有限責任公司 |
| 主分類號: | C21D8/12 | 分類號: | C21D8/12;C21D9/52;C22C38/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 晶粒 取向 電工 鋼帶材 方法 由此 | ||
1.制造晶粒取向電工鋼(GOES)帶材的方法,其中將熔融的硅合金鋼連鑄成厚度為50至100毫米的鑄坯,其中所述熔融的鋼合金包含:
-2.1%至最多4.5%的硅;
-至多0.1%的碳;
-0.02%至最多0.5%的錳;
-0.01%至最多0.3%的銅;
-至多0.04%的硫和/或硒;
-至多0.07%的鋁;
-至多0.015%的氮;
-任選地選自下組a-c中的一種或多種元素:
○最大總量為0.05%的鈦、釩、硼、鎢、鋯、鈮,和
○最大總量為0.15%的錫、銻、砷,和
○最大總量為0.03%的磷、鉍;
-余量為鐵和不可避免的雜質;其中在多個單向軋制機架中通過包含下述步驟的序列熱軋凝固的鑄坯以制造厚度為0.7至4.0毫米的最終熱軋帶材卷;
-將凝固鑄坯冷卻至芯部溫度不低于900℃;
-鑄坯在1000至1300℃的溫度下均勻化;
-在粗軋階段中以兩個或更多個軋制步驟的至少60%的鑄坯首次軋制壓下量以獲得中間坯,其中粗軋階段由至少兩個單向且相繼的軋制機架組成,并且其中在第一軋制機架中的壓下量低于40%并且其中在粗軋階段中在相繼的軋制道次之間的時間小于20秒;
-將溫度為950至1250℃的中間坯轉移到精軋階段,其中離開粗軋階段和進入精軋階段之間的轉移時間為至少15秒且最多60秒以激活變形材料中的再結晶過程;
-以一個或多個單向軋制步驟在精軋階段中以第二軋制壓下量將中間坯軋壓至最終熱軋帶材厚度;
-在精軋階段和卷曲站之間冷卻最終熱軋帶材;
-在500至780℃的卷曲溫度下卷曲最終熱軋帶材;
接下來進行包含下述步驟的序列:
-在1150℃的最高溫度下將熱軋帶材連續退火;
-通過單冷軋或通過具有中間連續退火的雙冷軋將退火的帶材冷軋至0.15至0.5毫米的最終冷軋厚度;
-在750至850℃的溫度下通過調節退火氣氛的化學組成將冷軋帶材連續退火以引發一次再結晶,和任選的脫碳和/或滲氮;
-用退火隔離劑涂覆退火帶材并卷曲該退火帶材;
-將卷曲的帶材退火以引發二次再結晶;
-退火帶材的連續熱矯平退火;
-涂覆退火帶材以便電絕緣。
2.如前述權利要求所述的方法,其中熔融的鋼合金包含:
-2.5%至3.5%的硅,和/或
-至多0.35%的錳,和/或
-至多0.05%的鋁。
3.如前述權利要求任一項所述的方法,其特征在于在連續熱軋的步驟序列期間,在離開粗軋階段和進入精軋階段之間將中間坯再加熱以便將中間坯的芯部溫度提高至少30℃。
4.如前述權利要求任一項所述的方法,其中第一粗軋階段由兩個單向且相繼的軋制機架組成,并且其中在第一軋制機架中的壓下量低于40%。
5.如前述權利要求任一項所述的方法,其中在第二軋制機架中的壓下量高于50%。
6.如前述權利要求任一項所述的方法,其中粗軋階段中相繼的軋制道次之間的時間小于20秒。
7.如前述權利要求任一項所述的方法,其中在軋制機架之間的變形分布從板坯的軋制過程開始時的起始分布變為最終分布,其中在第二機架中的變形在起始分布中低于50%,并且在最終分布中高于50%。
8.如前述權利要求任一項所述的方法,其中將所述鑄坯在軋制前分為多卷板坯,其在熱軋后在飛剪機上切割以便由各個多卷板坯產生所需尺寸的最終熱軋帶材的兩個或更多個卷。
9.如前述權利要求任一項所述的方法,其中鑄坯的均勻化發生在1000至1200℃的溫度下和/或其中在轉移期間所述中間坯具有950至1150℃的溫度。
10.如前述權利要求任一項所述的方法,其中在卷曲最終熱軋帶材之前以至少100℃/秒的冷卻速率冷卻該最終熱軋帶材。
11.如前述權利要求任一項所述的方法,其中在滲氮氣氛下對脫碳后的冷軋帶材進行連續退火,其中帶材溫度保持為750℃至850℃。
12.如前述權利要求任一項所述的方法,其中最終熱軋帶材卷具有至少1.0毫米和/或最多3.0毫米的厚度。
13.按照權利要求1至12任一項制得的晶粒取向電工鋼,其中最終產品表現出在800A/m下大于或等于1.80特斯拉、優選大于或等于1.9特斯拉的峰值感應水平。
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