[發(fā)明專利]多孔熱解反應(yīng)器材料和方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080059919.8 | 申請日: | 2010-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN103025849A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | C·全;F·赫什科維茨;P·F·柯森科思恩;S·凌;G·D·默爾 | 申請(專利權(quán))人: | 埃克森美孚化學(xué)專利公司 |
| 主分類號: | C10G9/20 | 分類號: | C10G9/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 鄧毅 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多孔 反應(yīng)器 材料 方法 | ||
1.用于將烴原料熱解的反應(yīng)器設(shè)備,所述設(shè)備包括:
包含氧化物形式的耐火材料的反應(yīng)器組件,所述耐火材料具有不低于2060℃的熔點并當(dāng)暴露于在1200℃的溫度測量的具有10-22巴的碳分壓和10-10巴的氧分壓的氣體時仍保持氧化物形式;
其中所述耐火材料具有在20℃下測量的基于所述耐火材料整體體積的不低于4vol%的形成的孔隙度。
2.權(quán)利要求1的反應(yīng)器設(shè)備,其中所述形成的孔隙度是在不低于1700℃的溫度燒結(jié)不少于一小時后測定的。
3.權(quán)利要求1的反應(yīng)器設(shè)備,其中所述耐火材料具有5-35vol%的總孔隙度。
4.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述形成的孔隙度包括形成的空孔份數(shù)和形成的耐久性組分孔份數(shù)之和。
5.權(quán)利要求4的設(shè)備,其中所述形成的孔具有在不低于所述耐火材料的D50粒度到最高達所述耐火材料的D50粒度的五倍的尺寸范圍中的D50直徑。
6.權(quán)利要求4的設(shè)備,其中所述耐火材料包括多模態(tài)粒度分布,該多模態(tài)粒度分布包括第一晶粒模態(tài)和第二晶粒模態(tài),所述第一晶粒模態(tài)的D50粒度不低于所述第二晶粒模態(tài)的D50粒度的三倍,其中所述形成的孔具有在不低于所述第二晶粒模態(tài)的D50粒度至最高達所述第一晶粒模態(tài)的D50粒度的兩倍的尺寸范圍中的D50直徑。
7.權(quán)利要求6的設(shè)備,其中所述形成的孔具有在不低于所述第二晶粒模態(tài)的D50粒度的1.5倍至所述第二晶粒模態(tài)的D50粒度的四倍的范圍中的D50直徑。
8.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述形成的孔隙度是使用犧牲性空化劑、耐久性空化劑、以及犧牲性和耐久性空化劑的組合中的至少之一產(chǎn)生的。
9.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述形成的孔的至少50%具有不大于2.5的三維體因子。
10.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述反應(yīng)器設(shè)備包括再生熱解反應(yīng)器設(shè)備,該再生熱解反應(yīng)器設(shè)備包括逆流再生反應(yīng)器設(shè)備。
11.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述耐火材料當(dāng)暴露于在2000℃的溫度下測量的具有10-14巴的碳分壓和10-10巴的氧分壓的氣體時仍保持所述氧化物形式。
12.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述反應(yīng)器組件包括以下中至少一種:反應(yīng)器導(dǎo)管、反應(yīng)流體混合器、蜂窩狀整體料、格子磚、反應(yīng)器床和反應(yīng)熱吸熱部件。
13.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述反應(yīng)器組件具有表現(xiàn)出在將所述反應(yīng)器組件在水浴中從1100℃驟冷到50℃的溫度后不大于30cm/cm2的每單位面積裂紋總長度的耐熱沖擊性等級。
14.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述反應(yīng)器組件具有在1000℃-2000℃的溫度下不低于13.8MPa的機械撓曲強度斷裂模量。
15.權(quán)利要求1的設(shè)備,包含基于所述耐火材料總重量的至少50wt%的氧化釔(氧化釔)。
16.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中所述耐火材料進一步包括:
(i)基于所述耐火材料總重量的至少20wt%的第一晶粒模態(tài),所述第一晶粒模態(tài)具有5-2000μm的D50粒度;和
(i?i)基于所述耐火材料總重量的至少1wt%的第二晶粒模態(tài),所述第二晶粒模態(tài)具有0.01μm至不大于所述第一晶粒模態(tài)的D50粒度的四分之一的D50粒度。
17.使用熱解反應(yīng)器系統(tǒng)將烴原料熱解的方法,包括以下步驟:
(a)在用于將烴原料熱解的熱解反應(yīng)器系統(tǒng)的加熱區(qū)域中提供包含氧化物形式的耐火材料的設(shè)備,所述耐火材料具有不低于2060℃的熔點并當(dāng)暴露于在1200℃的溫度下測量的具有10-22巴的碳分壓和10-10巴的氧分壓的氣體時仍保持氧化物形式;
其中所述耐火材料具有在20℃下測量的基于所述耐火材料的整體體積的不少于4vol%的形成的孔隙度。
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