[發明專利]薄膜光電池、制造方法及應用

有效

• 申請號: 201080058546.2
• 申請日: 2010-12-22
• 公開（公告）號: CN102742033A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: J·史卡波
• 申請（專利權）人: 貝尼科公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;劉明

1.薄膜光電池(10)，包括n型半導體窗口層(40)、p型半導體吸收層(5)和在這兩個層之間的界面處的pn結(6)，其中所述p型半導體吸收層由碲化鎘CdTe形成，其特征在于所述n型半導體窗口層(40)包含氧化鋅/硫化鋅Zn(O,S)。

2.根據權利要求1所述的薄膜光電池(10)，其特征在于所述n型半導體窗口層材料通過原子層沉積ALD被沉積。

3.制備薄膜光電池(40)的方法，包括形成n型半導體窗口層(40)和p型半導體吸收層(5)以便在這兩個層之間的界面處形成pn結(6)的步驟，其中所述p型半導體吸收層由碲化鎘CdTe形成，其特征在于所述n型半導體窗口層(40)被形成以便包含氧化鋅/硫化鋅Zn(O,S)。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述n型半導體窗口層材料通過原子層沉積ALD被沉積。

5.氧化鋅/硫化鋅Zn(O,S)在薄膜光電池(10)窗口層(40)中的應用，所述薄膜光電池(10)包括n型半導體窗口層(40)、p型半導體吸收層(5)和在該兩個層的界面處的pn結(6)，其中所述p型半導體吸收層由碲化鎘CdTe形成。

6.根據權利要求5所述的應用，其中所述n型半導體窗口層材料通過原子層沉積ALD被沉積。