[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080058403.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102668080A | 公開(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林昌弘;板橋政次;札場(chǎng)哲也;小林秀央 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/14 | 分類號(hào): | H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 圖像 拾取 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種固態(tài)圖像拾取裝置,包括:
多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元,被設(shè)置在半導(dǎo)體基板中;
第一平坦化層,被設(shè)置在光入射的半導(dǎo)體基板的第一主表面?zhèn)龋?/p>
濾色器層,被設(shè)置在第一平坦化層上并包含濾色器,所述濾色器中的每一個(gè)對(duì)于相應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換單元被設(shè)置;以及
第二平坦化層,被設(shè)置在濾色器層上,并減小濾色器之間的高度差,
其中,間隙被設(shè)置在與濾色器層中的鄰近濾色器之間的邊界對(duì)應(yīng)的位置中,間隙延伸到第二平坦化層,并且用于密封間隙的密封層被設(shè)置在間隙和第二平坦化層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,多個(gè)布線層被設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第二主表面?zhèn)龋龅诙鞅砻鎮(zhèn)扰c半導(dǎo)體基板的第一主表面?zhèn)认喾础?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,遮光部分被設(shè)置在半導(dǎo)體基板和濾色器層之間,并且間隙在遮光部分上的垂直投影的一部分與遮光部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,遮光部分的保護(hù)層被設(shè)置在遮光部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,間隙被形成為具有向上凸起的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,間隙被形成為具有漸縮形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,用于相應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換單元的微透鏡被設(shè)置在第二平坦化層上。
8.一種固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法,所述方法包括:
在半導(dǎo)體基板中形成多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元;
在光入射的半導(dǎo)體基板的第一主表面?zhèn)刃纬傻谝黄教够瘜樱?/p>
在第一平坦化層上形成濾色器層,濾色器層包含濾色器,所述濾色器中的每一個(gè)對(duì)于相應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換單元被設(shè)置;
在濾色器層上形成第二平坦化層,第二平坦化層減小濾色器之間的高度差;
在與濾色器層中的鄰近濾色器之間的邊界對(duì)應(yīng)的位置中形成間隙,間隙貫通第二平坦化層和濾色器層;以及
在間隙和第二平坦化層上形成密封層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法,所述方法還包括:
在光入射的半導(dǎo)體基板的第一主表面上形成遮光部分,層絕緣膜被設(shè)置在半導(dǎo)體基板和遮光部分之間,
其中,遮光部分用作通過蝕刻形成間隙時(shí)的蝕刻停止膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法,所述方法還包括:
在光入射的半導(dǎo)體基板的第一主表面上形成遮光部分,層絕緣膜被設(shè)置在半導(dǎo)體基板和遮光部分之間;以及
在遮光部分上形成遮光部分的保護(hù)層,
其中,遮光部分的保護(hù)層用作通過蝕刻形成間隙時(shí)的蝕刻停止膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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