[發(fā)明專利]復合二氧化硅顆粒的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080058246.4 | 申請日： | 2010-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN102666382A | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小松正樹;矢野聰宏;岡田智成 | 申請（專利權(quán)）人： | 花王株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;C01B37/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復合 二氧化硅 顆粒 制造 方法 | ||
1.一種復合二氧化硅顆粒的制造方法，其中，所述復合二氧化硅顆粒具備外殼部，該外殼部具有由含有二氧化硅的成分構(gòu)成的介孔結(jié)構(gòu)，并且在所述外殼部的內(nèi)部含有疏水性有機物；
所述制造方法包含：在所述疏水性有機物中添加水性溶劑并乳化的工序、以及、在所述疏水性有機物的乳化油滴表面形成外殼部的工序，所述外殼部具有由含有二氧化硅的成分構(gòu)成的介孔結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的復合二氧化硅顆粒的制造方法，其中，
所述外殼部是在存在選自下述通式（1）以及（2）中的至少一種的季銨鹽、以及由水解而生成硅烷醇化合物的二氧化硅源的條件下形成的，
[R1（CH3）3N]+X-??????（1）
[R1R2（CH3）2N]+X-????（2）
式中，R1以及R2分別獨立表示碳原子數(shù)為4~22的直鏈狀或者支鏈狀烷基，X-表示1價陰離子。
3.如權(quán)利要求1或2所述的復合二氧化硅顆粒的制造方法，其中，
所述制造方法進一步包含使外殼部形成后的復合二氧化硅顆粒與酸性水溶液相接觸的工序。
4.一種中空二氧化硅顆粒的制造方法，其中，所述中空二氧化硅顆粒具備具有介孔結(jié)構(gòu)的外殼部并且內(nèi)部為中空；
所述制造方法包含：在350~950℃下對由權(quán)利要求1~3中任意一項所述的制造方法制得的復合二氧化硅顆粒進行燒成的工序。
5.一種中空二氧化硅顆粒的制造方法，其中，所述中空二氧化硅顆粒具備外殼部并且內(nèi)部為中空；
所述制造方法包含：在超過950℃的溫度下對由權(quán)利要求1~3中任意一項所述的制造方法制得的復合二氧化硅顆粒進行燒成的工序。
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