[發明專利]有機半導體材料、有機半導體薄膜以及有機薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201080058117.5
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102714276A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 市川結;平田直毅;河野壽夫;小熊尚實
• 申請（專利權）人: 大日精化工業株式會社;國立大學法人信州大學
• 主分類號: H01L51/30
• 分類號: H01L51/30;C07D471/06;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣

1.一種有機半導體材料，其特征在于，由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亞胺衍生物形成，

通式(1)

其中，通式(1)中，R₁表示碳原子數為1~20的可以分支的烷基，R₂表示碳原子數為2~6的可以分支的烷基，R₃表示碳原子數為2~6的可以分支的烷基，X₁以及X₂表示選自氧原子、硫原子以及硒原子的雜原子，Y表示鹵素原子或氰基，m表示0~4的數，且n表示0~2的數，另外，R₁以及R₂的烷基可以被氟取代。

2.根據權利要求1所述的有機半導體材料，其中，所述通式(1)中，R₁表示碳原子數為1~20的直鏈烷基，R₂表示碳原子數為2~6的直鏈烷基，R₃表示碳原子數為2~6的直鏈烷基，X₁以及X₂表示氧原子，Y表示鹵素原子或氰基，m表示0~4的數，且n表示0~2的數。

3.根據權利要求1所述的有機半導體材料，其中，所述通式(1)表示的衍生物為下述通式(2)表示的N,N'-雙(3-(R₁氧基)-乙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亞胺衍生物，

通式(2)

其中，通式(2)中的R₁表示碳原子數為1~20的直鏈烷基或支鏈烷基。

4.根據權利要求1所述的有機半導體材料，其中，所述通式(1)表示的衍生物為下述通式(3)表示的N,N'-雙(3-(R₁氧基)-正丙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亞胺衍生物，

其中，通式(3)中的R₁表示碳原子數為1~20的直鏈烷基或支鏈烷基。

5.根據權利要求4所述的有機半導體材料，其中，所述通式(3)表示的衍生物為下述式(4)表示的N,N'-雙(3-(正十二烷氧基)-正丙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亞胺，

6.一種有機半導體薄膜，其特征在于，由權利要求1～5中任一項所述的有機半導體材料形成。

7.一種有機半導體薄膜，其特征在于，由權利要求1～5中任一項所述的有機半導體材料形成，并且在100℃至250℃的溫度區域向液晶狀態相變。

8.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，其形成在基板上，具有柵電極、柵絕緣層、有機半導體薄膜、源電極以及漏電極，所述有機半導體薄膜由權利要求6所述的有機半導體薄膜形成。

9.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，其形成在基板上，具有柵電極、柵絕緣層、有機半導體薄膜、源電極以及漏電極，所述有機半導體薄膜由權利要求7所述的有機半導體薄膜形成，并且該有機半導體薄膜在100℃至250℃之間的溫度下被熱處理。

10.根據權利要求8或9所述的有機薄膜晶體管，其中，電子遷移率為0.01~5.0cm²/Vs。