[發明專利]高縱橫比的空心制品內部的化學氣相沉積

無效

• 申請號: 201080057693.8
• 申請日: 2010-12-20
• 公開（公告）號: CN102712998A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: D·尤帕德雅亞;K·布安那帕利;W·J·伯德曼;M·馬莫迪;T·B·卡瑟利;P·J·哈扎瑞卡;D·多安
• 申請（專利權）人: 分之一技術公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.一種高縱橫比空心管狀工件內部區域等離子體強化化學氣相沉積（CVD）方法，包括：

沿著縱橫比高于或等于約30:1的高縱橫比空心管狀工件的狹長內部區域的縱軸設置軸向地定距相隔地排列的多個陽極；

將CVD生產氣體引入工件的內部區域；

將各自單獨的直流或脈沖直流偏壓施加于多個陽極的每一個，以激發生產氣體成為等離子體；以及

控制工件內部區域中的生產氣體壓力，以維持等離子體。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述的維持等離子體包括維持等離子體中的空心陰極效應。

3.權利要求1所述的方法，進一步包括為多個陽極提供狹長支承管，將多個陽極以定距相隔地排列的方式設置于狹長的支承管內部，所述支承管做成特定尺寸以保持于工件的狹長內部區域之內。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述的引入生產氣體至工件的內部區域包括通過一個或多個氣體擴散器輸送生產氣體。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述的工件內部區域水平地定向，生產氣體主要被引入工件內部區域的下半部分。

6.如權利要求1所述的方法，進一步包括在多個陽極的至少一個附近引入陽極氣體。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包括引入等離子體調節氣至工件內部區域。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述的生產氣體被引入第一區域，等離子體調節氣被引入第二區域，第一和第二區域處于工件的內部區域，并相對于縱軸彼此相對。

9.如權利要求7所述的方法，其中所述的工件內部區域水平地定向，等離子體調節氣主要被引入工件內部區域的上半部分。

10.如權利要求7所述的方法，其中所述的等離子體調節氣主要被引入工件內部區域的長度中間區域。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述的CVD生產氣體包括類金剛石鍍層或摻雜類金剛石鍍層的成分。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述的CVD生產氣體包括類金剛石鍍層的成分，所述類金剛石鍍層具有摻雜物，所述摻雜物包含硅或鍺。

13.如權利要求1所述的方法，進一步包括供應電流以及以各選定的比例分配供應電流至多個陽極的每一個。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述的陽極與空心管狀工件內徑間的間距的比介于約20:1和約1:1。

15.一個用于化學氣相沉積至空心管狀工件狹長內部區域的設備，包括：

做成特定尺寸以沿空心導電工件狹長內部區域分布的軸向地定距相隔地排列的多個陽極；

連接成向所述多個陽極的每一個提供獨立的直流電流或脈沖直流電流偏壓的電偏壓電路；以及

可連接成在工件內部區域的壓力下輸送生產氣體至工件內部區域的供氣管道，所述壓力受控制以獲得等離子體。

16.如權利要求15所述的設備，其中所述的等離子體包括具有空心陰極效應的至少一部分。

17.如權利要求15所述的設備，進一步包括包含多個陽極并做成特定尺寸以適應工件狹長內部區域的狹長支承管。

18.如權利要求17所述的設備，其中所述的狹長支承管具有至少一個陽極槽口以及至少一個電子出入孔。

19.如權利要求15所述的設備，進一步包括至少一個用于擴散來自氣體供應管道的生產氣體的氣體擴散器。

20.如權利要求19所述的設備，其中所述的至少一個氣體擴散器包括氣體腔體擴散器。

21.如權利要求15所述的設備，具有對多個陽極提供單獨偏壓的多個電流分配器。

22.如權利要求15所述的設備，進一步包括可定位成輸送等離子體調節氣至工件內部區域的調節氣體管道。