[發明專利]用于操作工業過程的方法有效
| 申請號: | 201080057477.3 | 申請日: | 2010-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN102656661A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | C·托默;M·格呂克 | 申請(專利權)人: | 許廷格電子兩合公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H05B6/02;H05H1/46;H02M1/32 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張偉;王英 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 操作 工業 過程 方法 | ||
1.一種用于在脈沖功率輸出操作中對等離子裝置、感應加熱裝置或激光激發裝置進行操作的方法,在功率輸出時間段ΔT1內產生第一功率POUT1.1,并且將所述第一功率POUT1.1在功率發生器的功率輸出端處釋放,以將功率供應給等離子過程、感應加熱過程或激光激發過程,并且通過控制所述功率發生器的至少一個半導體開關元件(9),在脈沖中斷時間段ΔT2內在所述功率發生器的所述功率輸出端不輸出適于等離子過程、感應過程或激光激發過程的觸發或操作的功率POUT2.1,在所述功率輸出時間段ΔT1期間在產生所述第一功率POUT1.1的同時在所述至少一個半導體開關元件(9)中產生第一功耗PV1,在所述脈沖中斷時間段ΔT2期間在所述至少一個半導體開關元件(9)中產生第二功耗PV2,并且將產生的所述功耗PV1、PV2轉換成熱量,通過對所述半導體開關元件的適當控制,防止了所述半導體開關元件(9)的溫度下降超過預定值,并且所述功率輸出操作和所述脈沖中斷操作持續交替。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率輸出時間段和所述脈沖中斷時間段以由所述等離子裝置、所述感應加熱裝置或所述激光激發裝置預先確定的頻率fp來交替。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,在所述功率輸出時間段期間,以頻率fn產生交流功率,其中fn>fp。
4.根據權利要求2或權利要求3所述的方法,其特征在于,fp在0.01Hz到50kHz的范圍內。
5.根據任意一個前述權利要求所述的方法,其特征在于,根據所述第一功率POUT1.1的預定值或測量值來建立所述第一功耗PV1,基于建立的所述第一功耗PV1來確定要被調整的所述第二功耗PV2,并且控制所述至少一個半導體開關元件(9)以產生所述第二功耗PV2。
6.根據任意一個前述權利要求所述的方法,其特征在于,通過與從數據存儲器(34)讀取的所述功率POUT1.1相關聯的值來確定所述第一功耗PV1。
7.根據任意一個前述權利要求所述的方法,其特征在于,基于下面的值中的一個或多個值來調整所述第二功耗PV2:
-所述功率輸出時間段ΔT1的持續時間
-所述脈沖中斷時間段ΔT2的持續時間
-所述功率隨時間的變化
-所述半導體開關元件中的所述功耗隨時間的變化
-所建立的溫度或溫度曲線
-所建立的電壓值或電壓曲線
-所建立的電流值或電流曲線
-所述功率的曲線的時間導數、所述半導體開關元件中的所述功耗的時間導數、所述溫度曲線的時間導數、所述電壓曲線的時間導數或所述電流曲線的時間導數。
8.根據任意一個前述權利要求所述的方法,其特征在于,所述第二功耗PV2的大小與所述第一功耗PV1的大小相同。
9.根據任意一個前述權利要求所述的方法,其特征在于,在所述功率輸出時間段ΔT1期間控制所述至少一個半導體開關元件(9、10)幾次進入導通狀態和截止狀態,在所述導通狀態,所述至少一個半導體開關元件(9、10)具有開關電阻Ron,在所述截止狀態,所述至少一個半導體開關元件(9、10)具有截止電阻Roff,并且在所述脈沖中斷時間段ΔT2期間,將所述至少一個半導體開關元件至少暫時性地切換到部分導通狀態,在所述部分導通狀態,所述至少一個半導體開關元件(9、10)具有過渡電阻Rv,通過Ron<Rv以及Rv<Roff來給定所述電阻。
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