[發明專利]用于EUV波長范圍的反射鏡，用于該反射鏡的基底，包括該反射鏡或該基底的用于微光刻的投射物鏡，及包括該投射物鏡的用于微光刻的投射曝光設備

有效

• 申請號: 201080056967.1
• 申請日: 2010-11-08
• 公開（公告）號: CN102713690A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: S.馬倫德;J.韋伯;W.克勞斯;H-J.保羅;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克澤克;G.范布蘭肯哈根;R.勒歇爾
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），包括基底（S）和層布置，其中所述層布置包括至少一個表面層系統（P”’），該表面層系統（P”’）由單獨層的至少兩個周期（P₃）的周期性序列構成，其中所述周期（P₃）包括兩個由不同的材料構成的單獨層，該不同的材料用于高折射率層（H”’）和低折射率層（L”’），

其特征在于：所述層布置包括至少一個表面保護層（SPL，L_p）或至少一個表面保護層系統（SPLS），其具有大于20nm，特別是50nm的厚度，其中通過所述層布置的EUV輻射的透射率總計小于2％，特別是小于0.2％。

2.用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），包括基底（S）和層布置，其中所述層布置包括至少一個表面層系統（P”’），該表面層系統（P”’）由單獨層的至少兩個周期（P₃）的周期性序列構成，其中所述周期（P₃）包括兩個由不同的材料構成的單獨層，該不同的材料用于高折射率層（H”’）和低折射率層（L”’），

其特征在于：所述層布置包括至少一個表面保護層（SPL，L_p）或至少一個表面保護層系統（SPLS），其具有大于20nm，特別是50nm的厚度，其中所述表面保護層（SPL，L_p）或所述表面保護層系統（SPLS）在EUV輻射下經歷小于1％，特別是小于0.2％的不可逆的體積變化。

3.用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），包括基底（S）和層布置，其中所述層布置包括至少一個表面層系統（P”’），該表面層系統（P”’）由單獨層的至少兩個周期（P₃）的周期性序列構成，其中所述周期（P₃）包括兩個由不同的材料構成的單獨層，該不同的材料用于高折射率層（H”’）和低折射率層（L”’），

其特征在于：所述層布置包括至少一個表面保護層（SPL，L_p）或至少一個表面保護層系統（SPLS），其具有大于20nm，特別是大于50nm的厚度，其中所述表面保護層（SPL，L_p）或所述表面保護層系統（SPLS）被設置用于避免在EUV輻射下的在所述基底（S）的輻射區域中的位置上的垂直方向測量的所述基底（S）的表面相對于在輻射區域之外的位置上的同一方向測量的所述基底（S）的表面的不可逆的改變大于0.1nm，并且同時用于施加張應力以補償所述層布置中的層應力。

4.根據權利要求1、2或3所述的用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），其中所述層布置包括至少一層，該層由以下組的材料形成或為以下組的材料構成的化合物：鎳、碳、碳化硼、鈷、鈹、硅、二氧化硅。

5.根據權利要求1、2或3所述的用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lb’），其中所述層布置包括至少三個表面層系統（SPL，P’，P”，P”’），且位于最靠近所述基底（S）的所述表面層系統（SPL，P’）的周期（P_p；P₁）的數量（N_p；N₁）大于離所述基底（S）最遠的所述表面層系統（P”’）的周期的數量，并且/或者大于離所述基底（S）第二遠的所述表面層系統（P”）的周期的數量。

6.根據權利要求1、2或3所述的用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lc），其中所述層布置包括非晶層，該非晶層特別地至少包括具有大于100nm，特別是大于2μm的厚度的石英或硅，該石英或硅通過化學氣相沉積方法，特別是等離子體脈沖化學氣相沉積、等離子體輔助化學氣相沉積、或等離子體增強化學氣相沉積的方法沉積。

7.根據權利要求6所述的用于EUV波長范圍的反射鏡（la；la’；lb；lc），其中所述非晶層具有小于0.5nm?rms?HSFR，特別是小于0.2nm?rms?HSFR的表面粗糙度。