[發明專利]通過電泳的電介質復合體共形沉積有效
| 申請號: | 201080056767.6 | 申請日: | 2010-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN102686785A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 賽思·阿德里安·米勒 | 申請(專利權)人: | 英派爾科技開發有限公司 |
| 主分類號: | C25D13/02 | 分類號: | C25D13/02;C25D13/06;C25B7/00;C25D13/04;C25D13/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 賀衛國 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通過 電泳 電介質 復合體 沉積 | ||
1.一種用于制備電介質復合體器件的方法,所述方法包括:
通過電泳在第一導電層上共形地沉積電介質材料層;
用聚合物填充電介質材料層中的空間;以及
在填充有所述聚合物的所述電介質材料層上形成第二導電層,以形成所述電介質復合體器件。
2.權利要求1所述的方法,其中共形地沉積包括:
將所述第一導電層浸沒在溶劑中,其中所述溶劑包括分散在其中的所述電介質材料;以及
施加電偏壓至所述第一導電層,以使得所述電介質材料被吸引至所述第一導電層,以共形地形成所述電介質材料層。
3.權利要求2所述的方法,其中所述溶劑是具有分散在其中的所述電介質材料的有機溶劑。
4.權利要求2所述的方法,其中施加電偏壓包括對所述第一導電層施加脈沖偏壓或與反向偏壓交錯的正向偏壓,以將所述電介質材料吸引至所述第一導電層,以共形地形成所述電介質材料層。
5.權利要求1所述的方法,其中所述聚合物包括聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚丙烯、聚碳酸酯或聚酰亞胺中的一種或多種。
6.權利要求1所述的方法,其中填充空間包括:
在所述電介質材料層上沉積所述聚合物;以及
對所述聚合物施加熱或壓力中的一種或多種,以使得所述聚合物被引至所述電介質材料層中的空間中。
7.一種用于制備電介質復合體器件的方法,所述方法包括:
在第一導電層上電泳沉積粒子層,其中所述粒子包含涂布有聚合物的電介質材料;
對所述粒子層施加熱或壓力中的一種或多種,以將所述聚合物引至所述粒子層中的空間中;以及
在填充有所述聚合物的所述粒子層上形成第二導電層,以形成所述電介質復合體器件。
8.權利要求7所述的方法,其中電泳沉積包括在所述導電層上共形地沉積所述粒子層。
9.權利要求7所述的方法,其中所述聚合物包括聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚丙烯、聚碳酸酯或聚酰亞胺中的一種或多種。
10.一種電介質復合體器件,所述電介質復合體器件包括:
第一導電層;
共形地形成在所述第一導電層上的電介質材料層;
在所述電介質材料層的空間之內的聚合物;以及
在填充有所述聚合物的所述電介質材料層上的第二導電層。
11.權利要求10所述的器件,其中所述第一導電層包括非平面表面,并且其中所述電介質材料層共形地形成在所述第一導電層的所述非平面表面上。
12.權利要求10所述的器件,其中所述第一導電層是由鋁、銅、鉑、金、銀或鎳中的一種或多種形成的金屬材料。
13.權利要求10所述的器件,其中所述聚合物包括聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚丙烯、聚碳酸酯或聚酰亞胺中的一種或多種。
14.權利要求10所述的器件,其中所述電介質材料包括鈦酸鋇、硅酸鉿、硅酸鋯、二氧化鉿或二氧化鋯中的一種或多種。
15.權利要求14所述的器件,其中所述電介質材料包括鈦酸鋇,并且其中所述鈦酸鋇涂布有氧化鋁。
16.權利要求10所述的器件,其中所述電介質材料包括高k電介質材料。
17.一種具有電介質復合體的系統,所述系統包括:
輸出端;
能量儲存模塊,所述能量儲存模塊包括至少一個電容器,所述電容器包括:
第一導電層;
共形地形成在所述第一導電層上的電介質材料層;
在所述電介質材料層的空間內的聚合物;以及
在填充有所述聚合物的所述電介質材料層上的第二導電層;以及
電池模塊,其中所述電池和所述能量儲存模塊并聯連接至所述輸出端。
18.權利要求17所述的系統,所述系統還包括連接在所述電池模塊和所述輸出端之間,以及所述能量儲存模塊和所述輸出端之間的DC/DC轉換器。
19.權利要求17所述的系統,所述系統還包括連接至所述輸出端的負載,并且其中所述能量儲存模塊和電池模塊對所述負載提供不可中斷電源。
20.權利要求17所述的系統,其中所述至少一個電容器是高介電電容器。
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