[發明專利]集成在電子襯底中的通孔結構

有效

• 申請號: 201080056739.4
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102656687B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 李霞;趙偉;曹禺;顧時群;升·H·康;金明初
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/66;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/64;H05K1/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種在襯底中的通孔結構的系統，所述系統包括第一通孔結構，所述第一通孔結構包含：

外部導電層，其安置于所述襯底中；

內部絕緣層，其安置于所述襯底中，所述外部導電層分離所述內部絕緣層與所述襯底；以及

內部導電層，其安置于所述襯底中，所述內部絕緣層分離所述內部導電層與所述外部導電層；

其中，第一互補對的第一信號通過所述內部導電層且所述第一互補對的第二信號通過所述外部導電層。

2.根據權利要求1所述的系統，其進一步包含安置于所述襯底中的外部絕緣層，所述外部絕緣層分離所述外部導電層與所述襯底。

3.根據權利要求1所述的系統，其進一步包含耦合到所述外部導電層的自對準硅化物膜。

4.根據權利要求3所述的系統，其中所述自對準硅化物膜包含適于耦合到金屬層的環狀結構。

5.根據權利要求1所述的系統，其中所述第一信號與第二信號包含實質上相反的極性。

6.根據權利要求1所述的系統，其進一步包含相鄰于所述第一通孔結構而安置的第二通孔結構，所述第二通孔結構包含：

內部導電層和外部導電層，其兩者安置于所述襯底中，所述外部導電層圍繞所述內部導電層；以及

內部絕緣層，其安置于所述外部導電層與所述內部導電層之間；

其中，第二互補對的第一信號通過所述內部導電層且所述第二互補對的第二信號通過所述外部導電層。

7.根據權利要求6所述的系統，其中所述第一互補對的所述第二信號與所述第二互補對的所述第二信號包含實質上相反的極性。

8.根據權利要求1所述的系統，其中所述外部導電層包含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或其一組合。

9.一種在電子襯底中形成通孔結構的方法，其包含：

在所述襯底中形成開口；

在所述開口中沉積外部導電層；

在所述開口中沉積內部絕緣層，所述外部導電層分離所述內部絕緣層與所述襯底；

在所述開口中沉積內部導電層，所述內部絕緣層分離所述外部導電層與所述內部導電層；以及

使所述外部導電層接觸自對準硅化物材料。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在所述開口中沉積外部絕緣層，所述外部絕緣層分離所述外部導電層與所述襯底。

11.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含將所述自對準硅化物材料耦合到接地。

12.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含將所述自對準硅化物材料形成為環狀結構。

13.一種減小電子裝置中的電場或磁場的方法，其包含：

在襯底中形成第一導電層；

用絕緣層來圍繞所述第一導電層；

用第二導電層來圍繞所述絕緣層；以及

使互補對的第一信號通過所述第一導電層且使所述互補對的第二信號通過所述第二導電層；

其中，所述第二導電層適于減小由通過所述第一導電層的所述第一信號產生的電場或磁場。

14.根據權利要求16所述的方法，其進一步包含將所述第二導電層耦合到第一電位。

15.根據權利要求16所述的方法，其進一步包含將所述第二導電層耦合到自對準硅化物材料。

16.根據權利要求16所述的方法，其進一步包含形成圍繞所述第二導電層的另一絕緣層。

17.一種用于減小電子裝置中的電場或磁場的通孔結構，所述通孔結構包含：

第一導電裝置，用于在襯底中傳導互補對的第一信號；

第二導電裝置，用于在所述襯底中傳導所述互補對的第二信號，所述第一導電裝置圍繞所述第二導電裝置；以及

絕緣裝置，用于使所述第一導電裝置與所述第二導電裝置絕緣；

其中，所述第一信號與第二信號包含實質上相反的極性。