[發明專利]具有多電平、單次寫入存儲器單元的可重寫存儲器件

無效

• 申請號: 201080056716.3
• 申請日: 2010-11-05
• 公開（公告）號: CN102656640A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: R.E.舒爾萊恩;L.法索里
• 申請（專利權）人: 桑迪士克3D有限責任公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/34;G11C17/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種存儲器件，包括：

存儲器陣列，包括多個多電平單次寫入存儲器單元，其中，每個存儲器單元可編程到多個電阻率等級之一；

電路，與所述存儲器陣列通信，其中，所述電路被配置為：

從存儲器陣列選擇一組存儲器單元；

讀取與該組存儲器單元相關的一組標記位，其中，該組標記位指示該組存儲器單元已經被寫入的次數；

選擇適合于該組存儲器單元已經被寫入的次數的閾值讀取電平；以及

對于該組存儲器單元中的每個存儲器單元，基于所選擇的閾值讀取電平，讀取該存儲器單元作為未編程的單個位的存儲器單元或作為已編程的單個位的存儲器單元。

2.根據權利要求1的存儲器件，其中，所述電路進一步被配置為：

編程該組存儲器單元；以及

編程第二組標記位，來指示該組存儲器單元已經被寫入的次數的增加。

3.根據權利要求2的存儲器件，其中，在編程之前讀取該組存儲器單元，且僅編程需要調整電阻的那些存儲器單元。

4.根據權利要求1的存儲器件，其中，所述閾值讀取電平包括電壓電平。

5.根據權利要求1的存儲器件，其中，所述閾值讀取電平包括電流電平。

6.根據權利要求1的存儲器件，其中，存儲該組標記位的存儲器單元僅僅已經被寫入一次。

7.根據權利要求1的存儲器件，其中，所述電路可進一步操作以施加脈沖以破壞存儲器單元的導電路徑，來形成另外的、更高的電阻率等級。

8.一種用于讀取多電平單次寫入存儲器單元的方法，所述方法包括：

從包括多個多電平單次寫入存儲器單元的存儲器陣列選擇一組存儲器單元，其中，每個存儲器單元可編程到多個電阻率等級之一；

讀取與該組存儲器單元相關的一組標記位，其中，該組標記位指示該組存儲器單元已經被寫入的次數；

選擇適合于該組存儲器單元已經被寫入的次數的閾值讀取電平；以及

對于該組存儲器單元中的每個存儲器單元，基于所選擇的閾值讀取電平，讀取該存儲器單元作為未編程的單個位的存儲器單元或作為已編程的單個位的存儲器單元。

9.根據權利要求8的方法，還包括：

編程該組存儲器單元；以及

編程第二組標記位，來指示該組存儲器單元已經被寫入的次數的增加。

10.根據權利要求9的方法，其中，在編程之前讀取該組存儲器單元，且僅編程需要調整電阻的那些存儲器單元。

11.根據權利要求8的方法，其中，所述閾值讀取電平包括電壓電平。

12.根據權利要求8的方法，其中，所述閾值讀取電平包括電流電平。

13.根據權利要求8的方法，其中，存儲該組標記位的存儲器單元僅僅已經被寫入一次。

14.根據權利要求8的方法，進一步包括施加脈沖以破壞存儲器單元的導電路徑，來形成另外的、更高的電阻率等級。