[發(fā)明專利]用于光伏電池的導體中的玻璃組合物無效

申請?zhí)枺?/td>	201080056608.6	申請日：	2010-12-20
公開（公告）號：	CN102652118A	公開（公告）日：	2012-08-29
發(fā)明（設計）人：	A·F·卡羅爾;K·W·杭;G·勞迪辛奧;B·J·勞克林	申請（專利權）人：	E·I·內(nèi)穆爾杜邦公司
主分類號：	C03C8/06	分類號：	C03C8/06;C03C8/18;H01L31/0224;H01B1/16;H01B1/22
代理公司：	上海專利商標事務所有限公司 31100	代理人：	朱黎明
地址：	美國特***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于電池導體中的玻璃組合
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【說明書】：

發(fā)明領域

本發(fā)明的實施方案涉及硅半導體裝置，以及用于太陽能電池裝置的包含玻璃料的導電性厚膜組合物。

發(fā)明背景

具有p型基板的常規(guī)太陽能電池結構具有可位于電池正面（也稱為光照面和受光面）的負極和可位于相對面的正極。在半導體的p-n結上入射的適宜波長的輻射充當在該半導體中產(chǎn)生空穴-電子對的外部能源。由于p-n結處存在電勢差，因此空穴和電子以相反的方向跨過該結移動，從而產(chǎn)生能夠向外部電路輸送電力的電流。大部分太陽能電池為已被金屬化的硅片形式，即具有導電的金屬觸點。

需要具有改善的電性能的組合物、結構（例如半導體、太陽能電池或光電二極管結構）和半導體裝置（例如半導體、太陽能電池或光電二極管裝置），以及制備方法。

發(fā)明概述

本發(fā)明的一個實施方案涉及組合物，其包含：(a)一種或更多種導電材料；(b)一種或更多種玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一種基于玻璃組合物的重量%包含：SiO₂；B₂O₃；Bi₂O₃；0.1-3重量%的CeO₂；1-10重量%的F；和1-3重量%的Na+Li+K；和(c)有機載體。該玻璃料還可包含一種或更多種選自以下的組分：Ca、CaO、Mg、MgO、Sr、SrO、Ba和BaO。CeO₂可為0.75-2.5重量%。該玻璃料可包含一種或更多種選自以下的組分：TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅和ZrO₂。導電材料可包括銀。玻璃料可為總組合物的4-8重量%。導電材料可為總組合物的75-85重量%。Na可選自：NaO、NaF、以及它們的混合物；其中Li選自：Li₂O、LiF、以及它們的混合物；并且其中K選自：K₂O、KF、以及它們的混合物。

本發(fā)明的一個實施方案涉及一種組合物，其包含：(a)一種或更多種導電材料；(b)一種或更多種玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一種基于玻璃組合物的重量%包含：2.5-8重量%的SiO₂；3-10重量%的B₂O₃；25-80重量%的Bi₂O₃；0.1-3重量%的CeO₂；1-10重量%的F；和1-3重量%的Na+Li+K；和(c)有機載體。

另一個實施方案涉及一種制造半導體裝置的方法，其包括以下步驟：(a)提供半導體基底、一個或更多個絕緣膜、以及本文所述的厚膜組合物；(b)將絕緣膜施加到半導體基底；(c)將厚膜組合物施加到半導體基底上的絕緣膜，以及(d)焙燒半導體、絕緣膜和厚膜組合物。在一個方面，絕緣膜可包含一種或更多種組分，所述組分選自：氧化鈦、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化鈦。

另一個實施方案涉及用本文所述方法制造的半導體裝置。一個方面涉及包括電極的半導體裝置，其中電極在焙燒之前包含本文所述組合物。一個實施方案涉及包括半導體裝置的太陽能電池。

一個實施方案涉及包括半導體基底、絕緣膜和正面電極的半導體裝置，其中正面電極包含一種或更多種選自以下的組分：硅酸鋅、硅鋅礦和硅酸鉍。

附圖簡述

圖1為示出半導體裝置制造過程的工藝流程圖。

圖1中所示的附圖標號說明如下。

10：p-型硅基板

20：n-型擴散層

30：氮化硅膜、氧化鈦膜或氧化硅膜

40：p+層（背表面場，BSF）

60：在背面上形成的鋁漿

61：鋁背面電極（通過焙燒背面鋁漿獲得）

70：在背面上形成的銀漿或銀/鋁漿