[發明專利]感應加熱裝置的控制裝置、感應加熱系統及感應加熱裝置的控制方法有效
| 申請號: | 201080056369.4 | 申請日: | 2010-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN102652459A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | 福谷和彥;真弓康弘;武智俊也;梅津健司 | 申請(專利權)人: | 新日本制鐵株式會社 |
| 主分類號: | H05B6/10 | 分類號: | H05B6/10;C21D1/42;H05B6/06 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳萍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感應 加熱 裝置 控制 系統 方法 | ||
1.一種感應加熱裝置的控制裝置,控制輸出至橫向方式的感應加熱裝置的加熱線圈的交流電,所述橫向方式的感應加熱裝置使交變磁場與正在穿板的導體板的板面交叉而將該導體板感應加熱,該感應加熱裝置的控制裝置的特征在于,具備:
磁能再生雙向電流開關,對所述加熱線圈輸出交流電;
頻率設定裝置,設定與所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚中的至少一個相對應的輸出頻率;以及
柵極控制裝置,基于由所述頻率設定裝置設定的輸出頻率,控制所述磁能再生雙向電流開關的開關動作。
2.根據權利要求1所述的感應加熱裝置的控制裝置,其特征在于,
所述頻率設定裝置取得確定所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚的屬性信息,參照將所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚與頻率相互建立關聯地事先登錄的表,將與取得的屬性信息對應的頻率作為所述輸出頻率而選擇。
3.根據權利要求1或2所述的感應加熱裝置的控制裝置,其特征在于,還具備:
輸出電流設定裝置,設定與所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚中的至少一個相對應的輸出電流值;
電流測定裝置,測定流經所述感應加熱裝置的交流電流;以及
電力供給裝置,將直流電供給至所述磁能再生雙向電流開關,將由所述電流測定裝置測定的交流電流調整為由所述輸出電流設定裝置設定的所述輸出電流值;
所述磁能再生雙向電流開關由所述電力供給裝置供給直流電,并將交流電輸出至所述加熱線圈。
4.根據權利要求3所述的感應加熱裝置的控制裝置,其特征在于,
所述輸出電流設定裝置取得確定所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚的屬性信息,并參照將所述導體板的磁導率、電阻率以及板厚與電流值相互建立關聯地事先登錄的表,將與取得的屬性信息對應的電流值作為所述輸出電流值而選擇。
5.根據權利要求1或2所述的感應加熱裝置的控制裝置,其特征在于,
還具備輸出變壓器,所述輸出變壓器配置在所述磁能再生雙向電流開關和所述感應加熱裝置之間,將從所述磁能再生雙向電流開關輸出的交流電壓降壓并輸出至所述加熱線圈。
6.根據權利要求1或2所述的感應加熱裝置的控制裝置,其特征在于,
所述磁能再生雙向電流開關具備:
第1、第2交流端子,與所述加熱線圈的一端及另一端相互連接;
第1、第2直流端子,與所述電力供給裝置的輸出端相互連接;
第1逆導通型半導體開關,配置在所述第1交流端子和所述第1直流端子之間;
第2逆導通型半導體開關,配置在所述第1交流端子和所述第2直流端子之間;
第3逆導通型半導體開關,配置在所述第2交流端子和所述第2直流端子之間;
第4逆導通型半導體開關,配置在所述第2交流端子和所述第1直流端子之間;以及
電容器,配置在所述第1、第2直流端子之間;
所述第1逆導通型半導體開關和所述第4逆導通型半導體開關以開關截止時的導通方向為相互逆向的方式串聯配置,
所述第2逆導通型半導體開關和所述第3逆導通型半導體開關以開關截止時的導通方向為相互逆向的方式串聯配置,
所述第1逆導通型半導體開關和所述第3逆導通型半導體開關,開關截止時的導通方向是同向的,
所述第2逆導通型半導體開關和所述第4逆導通型半導體開關,開關截止時的導通方向是同向的,
所述柵極控制裝置基于由所述頻率設定裝置設定的所述輸出頻率,控制所述第1、第3逆導通型半導體開關的開關動作的時間和所述第2、第4逆導通型半導體開關的開關動作的時間。
7.一種感應加熱系統,使交變磁場與正在穿板的導體板的板面交叉而將該導體板感應加熱,其特征在于,所述感應加熱系統具備:
根據權利要求1或2所述的感應加熱裝置的控制裝置;
加熱線圈,以與所述導體板的板面對置的方式配置;
芯,所述加熱線圈卷繞在該芯上;以及
遮擋板,以與包含所述導體板的寬度方向的邊緣的區域對置的方式配置,是磁導率為1的導體。
8.根據權利要求7所述的感應加熱系統,其特征在于,
所述遮擋板具有凹部。
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