[發明專利]用于輻射檢測器晶體的光學干涉圖案形成

有效

• 申請號: 201080056301.6
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102655813A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: T·K·勒維爾恩;W·C·J·亨特;R·S·米瑤卡;L·麥克多納德
• 申請（專利權）人: 華盛頓大學商業中心
• 主分類號: A61B6/12
• 分類號: A61B6/12;G01T1/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 蔣世迅

1.一種閃爍晶體型輻射檢測器，包括：

由閃爍材料形成的透明閃爍器塊，該閃爍材料被配置成在釋放大量低能光子的閃爍事件中與高能光子交互作用；和

多個光電探測器，被定位以便接收至少一些來自閃爍事件的低能光子，并產生對應的輸出信號；

計算機系統，被配置成從該多個光電探測器接收輸出信號，并計算閃爍器塊內閃爍事件的位置；

其中該閃爍器塊包含用表面下激光雕刻在閃爍器塊內建立的多個內部缺陷，且其中該多個內部缺陷被配置成改變閃爍器塊內大量低能光子中的至少一些的路徑。

2.權利要求1的輻射檢測器，其中該閃爍材料包括摻鉈碘化鈉、鍺酸鉍、氧化原硅酸镥、原硅酸釓和摻鈰原硅酸镥釔之一。

3.權利要求1的輻射檢測器，其中該多個光電探測器，包括選自光電倍增管、雪崩光電二極管和硅光電倍增器的部件。

4.權利要求1的輻射檢測器，其中該透明閃爍器塊包括單塊晶體，且其中該多個內部缺陷定義多個反射壁，這些反射壁定義把該單塊晶體分割成閃爍器單元的矩形陣列的邊界。

5.權利要求1的輻射檢測器，其中該透明閃爍器塊包括單塊晶體，而該多個光電探測器被布置在該晶體的第一面，且其中該多個內部缺陷被均勻地遍及該晶體分布。

6.權利要求1的輻射檢測器，其中該多個內部缺陷被均勻地遍及閃爍器塊分布。

7.權利要求1的輻射檢測器，其中該閃爍器塊包括至少一個交互作用深度晶體單元，該交互作用深度晶體單元包括第一部分和第二部分，該第一部分有該多個光電探測器之一在該晶體單元的第一端，該第二部分有該多個光電探測器的不同的之一在該晶體單元的第一端，且其中該多個內部缺陷被沿橫向平面布置，該橫向平面劃分該第一部分與該第二部分。

8.權利要求7的輻射檢測器，其中該多個內部缺陷定義有一定形狀的阻擋層。

9.權利要求8的輻射檢測器，其中該有一定形狀的阻擋層是三角形。

10.權利要求7的輻射檢測器，其中該多個內部缺陷在該晶體單元的第一端附近被更密地間隔開，而在遠離該晶體單元的第一端被更稀地間隔開。

11.權利要求1的輻射檢測器，其中該多個光電探測器包括被布置在閃爍器塊第一側上的第一光電探測器陣列，以及被布置在閃爍器塊第一側的相對側上的第二光電探測器陣列。

12.權利要求1的輻射檢測器，還包括透明光波導，被布置在閃爍器塊和該多個光電探測器的至少一些之間。

13.一種用于輻射檢測器的閃爍器，包括有多個表面下激光雕刻缺陷的單塊閃爍材料塊，這些缺陷被配置成與該閃爍器內出現的閃爍事件中產生的可見波長光子交互作用。

14.權利要求13的閃爍器，其中該多個表面下激光雕刻的缺陷，定義內部光學阻擋層的柵格，該內部光學阻擋層的柵格延伸通過閃爍器的厚度。

15.權利要求14的閃爍器，其中該內部光學阻擋層的柵格，定義閃爍器單元的規則陣列。

16.權利要求15的閃爍器，其中該多個表面下激光雕刻的缺陷，還定義閃爍器單元陣列中每一閃爍器單元的交互作用深度光學邊界，其中該交互作用深度光學邊界沿平面部分地延伸通過閃爍器單元。

17.權利要求15的閃爍器，其中該多個表面下激光雕刻的缺陷，還包括閃爍器單元陣列中每一閃爍器單元的交互作用深度光學邊界，其中該交互作用深度光學邊界沿平面部分地延伸通過閃爍器單元，且其中該交互作用深度光學邊界，在缺陷密度方面沿邊界的長度改變。

18.權利要求15的閃爍器，其中該多個表面下激光雕刻的缺陷，被遍及單塊閃爍材料塊分布。

19.權利要求18的閃爍器，其中該多個表面下激光雕刻的缺陷，被遍及單塊閃爍材料塊均勻地分布。