[發明專利]用于非周期性脈沖部分熔融膜處理的系統和方法

有效

• 申請號: 201080055984.3
• 申請日: 2010-11-02
• 公開（公告）號: CN102770939A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: J·S·艾姆;Y·鄧;Q·胡;U-J·常;A·B·利馬諾弗
• 申請（專利權）人: 紐約市哥倫比亞大學理事會
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

相關申請的交叉參考

本申請主張以下美國申請的優先權：2009年11月24日申請，標題為“Systems?and?Methods?for?Advanced?Excimer?Laser?Annealing”的美國申請61/264082；2009年12月15日申請，標題為“Systems?and?Methods?for?AdvancedExcimer?Laser?Annealing”的美國申請61/286643；2009年12月31日申請，標題為“Systems?and?Methods?for?Advanced?Excimer?Laser?Annealing”的美國申請61/291488；2009年11月3日申請，標題為“Method?For?Obtaining?Uniformly?SizedSmall?Grain?Polycrystalline?Silicon?With?Low?Intragrain?Defect-Density?FilmsThrough?Partial?Melt?Crystallization”的美國申請61/257657；2009年11月3日申請，標題為“Method?For?Obtaining?Uniformly?Sized?Small?Grain?PolycrystallineSilicon?With?Low?Intragrain?Defect-Density?Films?Through?Complete?MeltCrystallization”的美國申請61/257650；2009年12月31日申請，標題為“Advanced?Single-Scan?SLS”的美國申請61/291,663；2010年1月12日申請，標題為“Sequential?Firing?SLS”的美國申請61/294,288；2010年5月10日申請，標題為“Systems?and?Methods?for?Non-Periodic?Pulse?Sequential?LateralSolidification”的美國申請12/776756，和2010年5月4日申請，標題為“Systemsand?Methods?for?Non-Periodic?Pulse?Sequential?Lateral?Solidification”的PCT國際專利申請PCT/US2010/033565，所述申請的每個公開的全部內容以引用的方式明確并入本文。

本文所引用的所有專利、專利申請、專利公布和多個公布的全部內容以引用的方式明確并入本文。如果申請的教示與所并入文件的教示之間有沖突，那么應當由所述申請的教示控制。

發明背景

在半導體處理領域中，已經描述多種將薄的非晶硅膜轉換成多晶膜的技術。一項這種技術是準分子激光退火（“ELA”）。ELA是一種脈沖激光結晶過程，其可在基板，例如但不限于不耐熱的基板（例如，玻璃和塑料）上產生具有均勻晶粒的多晶膜。ELA系統和過程的實例見述于2009年8月20日申請，標題為“Systems?and?Methods?for?Creating?Crystallographic-Orientation?ControlledPoly-Silicon?Films”的共同擁有的美國專利公布20090309104；2009年9月9日申請，標題為“Process?and?System?for?Laser?Crystallization?Processing?of?FilmRegions?on?a?Substrate?to?MinimizeEdge?Areas,and?Structure?of?Such?FilmRegions”的共同擁有的美國專利公布20100065853，和2006年3月9日申請，標題為“Processes?and?Systems?for?Laser?Crystallization?Processing?of?Film?Regionson?a?Substrate?Utilizing?a?Line-Type?Beam,and?Structures?of?Such?Film?Regions”的共同擁有的美國專利公布20070010104。