[發(fā)明專利]成膜裝置的清潔方法、成膜方法以及成膜裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080055541.4
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102656664A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岸本克史;一色和彥
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/44;C23C16/503
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;張浩

1.一種成膜裝置的清潔方法，是去除附著在成膜裝置具有的成膜室（10）內(nèi)的硅系附著物的成膜裝置（100）的清潔方法，該成膜裝置使用通過對第1對電極（11、12）間施加交流電壓而產(chǎn)生的等離子體，來進行硅系薄膜（92）的成膜，所述成膜裝置的清潔方法具備：

在第1條件下，使上述第1對電極間產(chǎn)生等離子體的工序；和

在上述第1條件下使等離子體產(chǎn)生的工序之后，在與上述第1條件不同的第2條件下，使等離子體產(chǎn)生的工序，

上述第2條件與上述第1條件相比，是使等離子體在上述第1對電極間向外周方向擴散的條件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置的清潔方法，其中，

還具有檢測上述第1對電極間的等離子體狀態(tài)的變化的工序，

對應(yīng)于上述等離子體狀態(tài)的變化，進行從在上述第1條件下使等離子體產(chǎn)生的工序向在上述第2條件下使等離子體產(chǎn)生的工序的轉(zhuǎn)移。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置的清潔方法，其中，

檢測上述等離子體狀態(tài)的變化的工序包括檢測上述第1對電極間的自偏壓的絕對值的工序，

對應(yīng)于上述自偏壓的絕對值的降低，進行從在上述第1條件下使等離子體產(chǎn)生的工序向在上述第2條件下使等離子體產(chǎn)生的工序的轉(zhuǎn)移。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置的清潔方法，其中，

檢測上述等離子體狀態(tài)的變化的工序包括檢測與上述第1對電極連接的阻抗匹配電路（41）的電路常數(shù)的工序，

對應(yīng)于上述電路常數(shù)的變化，進行從在上述第1條件下使等離子體產(chǎn)生的工序向在上述第2條件下使等離子體產(chǎn)生的工序的轉(zhuǎn)移。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置的清潔方法，其中，

檢測上述等離子體狀態(tài)的變化的工序包括檢測來自上述第1對電極間的外周的光的強度的工序，

對應(yīng)于上述光的強度的降低，進行從在上述第1條件下使等離子體產(chǎn)生的工序向在上述第2條件下使等離子體產(chǎn)生的工序的轉(zhuǎn)移。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的成膜裝置的清潔方法，其中，

在上述成膜室內(nèi)設(shè)置有第2對電極（11a、12a）。

7.一種成膜方法，具備：

利用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的成膜裝置（100）的清潔方法去除上述硅系附著物的工序；和，

在去除上述硅系附著物的工序之后，使用上述成膜裝置進行上述硅系薄膜的成膜的工序。

8.一種成膜裝置，是用于進行硅系薄膜的成膜的成膜裝置（100），其具備：成膜室（10）、產(chǎn)生交流電壓的電源（71）、和設(shè)置在上述成膜室中且與上述電源連接的第1對電極（11，12），上述第1對電極用于使上述第1對電極間產(chǎn)生等離子體，

還具備檢測上述第1對間的等離子體狀態(tài)的變化的檢測部（41～43）。