[發明專利]磁通導引結構

無效

• 申請號: 201080055429.0
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN102714092A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·約翰·史蒂文斯;馬爾科姆·鄧肯·麥克卡羅奇
• 申請（專利權）人: ISIS創新有限公司
• 主分類號: H01F38/00
• 分類號: H01F38/00;H01P3/00
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 張亞寧

1.一種結構，包括：

磁導，其包括多個諧振電路元件(110,120,310F)，各元件包括導電環部分(112,122)，該環部分(112,122)的相對端通過電容元件(114,124)彼此耦合，磁導(115,315)的相鄰諧振元件被布置成彼此磁感應耦合，從而允許磁導(115,315)支持磁感應（MI）波，

其中諧振元件（1205）中的至少一個在第一狀態與第二狀態之間是可切換的，在第一狀態中所述元件被布置成支持MI波沿波導傳播，在第二狀態中所述元件被布置成阻止MI波沿波導傳播。

2.如權利要求1所述的結構，其中磁導(115,315)包括基本閉合的磁通路徑，所述結構配備有輸入部件(131,331)?，用于在所述磁導中感應MI波。

3.??如權利要求2所述的結構，其中所述輸入部件包括具有至少一匝的繞組(131,331)。

4.??如權利要求2或3所述的結構，其中所述結構還包括輸出部件(132,133)，用于通過所述磁導(115)支持的MI波在導體中感應電流。

5.??如權利要求4所述的結構，其中所述輸出部件包括具有至少一匝的繞組(132,133)。

6.??如權利要求4或5所述的結構，其中所述結構包括第一輸出部件(132)和第二輸出部件(133)，用于通過磁導支持的MI波分別在第一導體和第二導體中感應電流。

7.如權利要求6所述的結構，其中所述磁導用于通過第一可切換諧振元件（1205）阻止在第一導體(132)中感應電流。

8.??如權利要求6或7所述的結構，其中所述磁導(115)用于通過第二可切換諧振元件(1205’)阻止在第二導體(133)中感應電流。

9.??如權利要求7或8所述的結構，其中所述磁導(115)包括第一和第二基本閉合的磁通路徑，所述第一輸出部件(132)設置在所述第一路徑中而非第二路徑中，所述第二輸出部件(132)設置在所述第二路徑中而非第一路徑中。

10.如前面任何一項權利要求所述的結構，其中所述諧振元件(1205)中的至少一個借助于與所述諧振電路元件的環部分（122）串聯設置的開關（126）是可切換的。

11.如前面任何一項權利要求所述的結構，包括轉子構件（351），該轉子構件（351）具有設置在其上的至少一個諧振電路元件310R，所述轉子構件（351）關于橫軸是可旋轉的，從而可使得所述至少一個諧振電路元件310R通過所述磁導（315）的一對相鄰的諧振電路元件之間，所述結構能夠用于在所述磁導（315）中感應MI波從而使所述轉子構件（351）轉動。

12.??如權利要求11所述的結構，能夠操作，從而所述轉子的諧振電路元件（310R）可磁感應耦合到所述磁導的諧振電路元件（310F）中的至少一個，所述耦合被布置成在使所述轉子（351）關于所述橫軸旋轉的方向上、在所述轉子（351）的諧振電路元件（310F）與所述磁導(315)的至少一個諧振電路元件之間生成力。

13.??如權利要求11或12所述的結構，其中所述轉子（351）配備有圍繞所述橫軸設置的一圈諧振電路元件（310R），該圈中的各個諧振電路元件設置成離所述橫軸基本等距。

14.一種結構，包括：

磁導(115,315)，其包括多個諧振電路元件(110,120)，各元件包括導電環部分(112,122)，該環部分(112,122)的相對端通過電容元件(114,124)彼此耦合，磁導(115,315)的相鄰諧振元件(110,120)彼此磁感應耦合，以及，

至少第一繞組構件(131,331)，

所述第一繞組構件(131,331)?磁感應耦合到所述磁導的第一諧振電路元件，

所述第一繞組構件(131,331)被布置成當交流電在該第一繞組(131,331)中流動時允許在所述磁導(115,315)中建立磁感應波，所述交流電以充分接近并低于所述磁導(115,315)的諧振電路元件的諧振頻率的頻率流動。

15.??如權利要求14所述的結構，還包括第二繞組構件(132,133)，該第二繞組?(132,133)磁感應耦合到所述磁導(115,315)的第二諧振電路元件。