[發(fā)明專利]包含兩種難熔金屬特別是W和Ta的合金和包含此類合金的X射線陽極及其生產(chǎn)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080055293.3 | 申請日： | 2010-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102639730A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | P·徐;K·C·克拉夫特;M·何;G·J·卡爾森 | 申請（專利權(quán)）人： | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | C22C1/04 | 分類號： | C22C1/04;C22C27/02;C22C27/04;H01J35/10 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;劉炳勝 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 兩種難熔 金屬 特別是 ta 合金 射線 陽極 及其 生產(chǎn) 方法 | ||
1.一種用于形成包括至少兩種難熔金屬的合金的方法，該方法包括：
在公共坩堝（3）中提供所述兩種難熔金屬；
通過施加電子束（9）熔融這兩種難熔金屬；
混合所熔融的難熔金屬；
使熔融物固化。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一難熔金屬是鎢且第二難熔金屬是鉭。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，以在5%至15%之間的重量百分比提供鉭。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述難熔金屬中的至少一種被提供為粉末（1）。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所熔融的難熔金屬被淬火以便固化。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法，其中，所熔融的難熔金屬通過氣體霧化被粉碎以便固化。
7.一種制備X射線陽極（21）的方法，該方法包括：
使用如權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法制備合金；
將所述合金至少施加到X射線陽極基底的一些部分，這些部分形成所述X射線陽極（21）的焦軌區(qū)域（29）。
8.一種包括至少兩種難熔金屬的合金，其中，形成所述合金的較小部分的第一難熔金屬被完全溶解在形成所述合金的主要部分的第二難熔金屬中。
9.如權(quán)利要求8所述的合金，其中，所述第一難熔金屬是鉭且所述第二難熔金屬是鎢。
10.如權(quán)利要求9所述的合金，其中，所述合金以在5%至15%之間的重量百分比包含鉭。
11.如權(quán)利要求8-10中任一項所述的合金，其中，所述合金被提供為粉末。
12.如權(quán)利要求8-11中任一項所述的合金，其中，所述第一難熔金屬和所述第二難熔金屬形成固溶體。
13.一種X射線陽極（21），其中，至少所述X射線陽極的形成焦軌區(qū)域的部分包含如權(quán)利要求8-12中任一項所述的合金。
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