[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 201080054910.8
• 申請日: 2010-11-11
• 公開（公告）號: CN102648525A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;H01L51/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種顯示裝置，包括：

第一柵電極；

在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；

在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；

在所述氧化物半導體膜上的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；

在所述源電極、漏電極和氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；

在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極；

在所述第二柵極絕緣膜上的具有平坦性的有機樹脂膜；

在所述具有平坦性的有機樹脂膜上的像素電極，其中所述像素電極電連接至所述源電極或者所述漏電極；

在所述第二柵電極和所述像素電極上并與所述第二柵電極和所述像素電極接觸的第一配向膜；

在所述第一配向膜上的液晶層；

在所述液晶層上的第二配向膜；

在所述第二配向膜上的對置電極；以及

在所述對置電極上的對置基板，

其中，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體膜中含有的氫原子的濃度低于1×10¹⁶cm^-3。

2.一種顯示裝置，包括：

第一柵電極；

在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；

在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；

在所述氧化物半導體膜上的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；

在所述源電極、漏電極和氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；

在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極；

在所述第二柵極絕緣膜上的具有平坦性的有機樹脂膜；

在所述具有平坦性的有機樹脂膜上的像素電極，其中所述像素電極電連接至所述源電極或者所述漏電極；

在所述像素電極上的EL層；

在所述EL層上的對置電極；

在所述第二柵電極和所述對置電極上并與所述第二柵電極和所述對置電極接觸的密封材料；以及

在所述密封材料上的對置基板，

其中，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體膜中含有的氫原子的濃度低于1×10¹⁶cm^-3。

3.一種顯示裝置，包括：

第一柵電極；

在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；

在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；

在所述氧化物半導體膜上的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；

在所述源電極、漏電極和氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；

在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極；

在所述第二柵極絕緣膜上的具有平坦性的有機樹脂膜；

在所述具有平坦性的有機樹脂膜上的像素電極，其中所述像素電極電連接至所述源電極或者所述漏電極；以及

在所述第二柵電極和所述像素電極上并與所述第二柵電極和所述像素電極接觸的填充物，其中在所述填充物中提供包括腔的球狀顆粒，所述腔含有黑區和白區，圍繞所述腔的空間填充有液體，

其中，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體膜中含有的氫原子的濃度低于1×10¹⁶cm^-3。

4.一種顯示裝置，包括：

第一柵電極；

在所述第一柵電極上的第一柵極絕緣膜；

在所述第一柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；

在所述氧化物半導體膜上的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極電連接至所述氧化物半導體膜；

在所述源電極、漏電極和氧化物半導體膜上的第二柵極絕緣膜；

在所述第二柵極絕緣膜上的第二柵電極；

在所述第二柵極絕緣膜上的具有平坦性的有機樹脂膜；

在所述具有平坦性的有機樹脂膜上的像素電極，其中所述像素電極電連接至所述源電極或者所述漏電極；以及

在所述第二柵電極和所述像素電極上并與所述第二柵電極和所述像素電極接觸的電子墨水層，其中，所述電子墨水層包括微囊體，在所述微囊體中包封有帶正電的白色微粒和帶負電的黑色微粒，

其中，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體膜內含有的氫原子的濃度低于1×10¹⁶cm^-3。