[發(fā)明專(zhuān)利]蝕刻氣體無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080054665.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-11-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102648171A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高田直門(mén);毛利勇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中央硝子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C07C19/08 | 分類(lèi)號(hào)： | C07C19/08;H01L21/027;H01L21/3065;C07C53/40 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 氣體 | ||
1.一種蝕刻氣體，其供于對(duì)由半導(dǎo)體、電介質(zhì)或金屬形成的薄膜進(jìn)行蝕刻的用途，含有CHF2COF。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻氣體，其中，半導(dǎo)體或電介質(zhì)為含硅物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻氣體，其中，蝕刻氣體含有選自O(shè)2、O3、CO、CO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、XFn、CH4、CH3F、CH2F2、CHF3、N2、He、Ar、Ne、Kr中的至少1種氣體作為添加物，式XFn中，X表示Cl、I或Br，n表示1≤n≤7的整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻氣體，其中，蝕刻氣體含有選自CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH3、H2、N2、He、Ar、Ne、Kr中的至少1種氣體作為添加物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的蝕刻氣體，其中，蝕刻氣體含有選自CH4、CH3F、CH2F2、CHF3中的至少1種氣體作為添加物。
6.一種半導(dǎo)體膜、電介質(zhì)膜或金屬膜的蝕刻方法，其使用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的蝕刻氣體。
7.一種蝕刻方法，其包括：實(shí)施權(quán)利要求6所述的蝕刻方法，接著利用F2或O2進(jìn)行灰化。
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