[發明專利]對于外部供應電壓、溫度及工序具有補償的振蕩電路

無效

• 申請號: 201080054024.5
• 申請日: 2010-11-05
• 公開（公告）號: CN102640418A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 金相勳
• 申請（專利權）人: 利他半導體股份有限公司
• 主分類號: H03K3/011
• 分類號: H03K3/011;H03B5/04
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種振蕩電路，具有對外部供應電壓、溫度以及工序的補償，其特征在于，包括：

基準電壓產生部，生成對于外部供應電壓(VDD)和溫度的變化穩定的基準電壓(Vbp)；

溫度補償部，接收所述基準電壓(Vbp)，以生成對于溫度的變化分別補償為增大或減小的第一基準電壓(PVREF)、第二基準電壓(IVREF)以及第三基準電壓(RX_VREF)；

內部供應電壓產生部，接收所述第一基準電壓(PVREF)，以生成對于外部供應電壓(VDD)和溫度的變化穩定的內部供應電壓(VPPI)；

電流供應部，接收所述第二基準電壓(IVREF)，以生成對溫度成正比或成反比的補償電流(RX_IREF)；

工序補償部，調節所述補償電流(RX_IREF)的量，以實施工序補償；以及

振蕩信號產生部，產生振蕩信號。

2.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述溫度補償部分別向所述內部供應電壓產生部供應所述第一基準電壓(PVREF)，向所述電流供應部供應所述第二基準電壓(IVREF)，向所述振蕩信號產生部供應所述第三基準電壓(RX_VREF)。

3.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述內部供應電壓產生部向所述電流供應部、所述工序補償部以及所述振蕩信號產生部分別供應所述內部供應電壓(VPPI)。

4.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述振蕩信號產生部接收所述內部供應電壓(VPPI)、所述第三基準電壓(RX_VREF)以及所述補償電流(RX_IREF)，從而生成預定大小的振蕩信號。

5.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述電流供應部包括：

PMOS晶體管，串聯在所述內部供應電壓(VPPI)與地線之間；以及

運算放大器，接收所述第二基準電壓(IVREF)和位于所述PMOS晶體管的漏(D)端子與地線之間的節點(N1)的電壓。

6.根據權利要求5所述的振蕩電路，其特征在于，所述電流供應部還包括：

工序補償電路，連接在所述節點(N1)和所述地線之間

7.根據權利要求6所述的振蕩電路，其特征在于，所述工序補償電路包括：

多個電阻。

8.根據權利要求7所述的振蕩電路，其特征在于，

所述工序補償電路通過調整與所述多個電阻對應的數字編碼值以控制所述多個電阻的總體電阻值，從而調節所述補償電流(RX_IREF)。

9.根據權利要求8所述的振蕩電路，其特征在于，

所述補償電流(RX_IREF)的值為其中，a定義為由溫度變化引起的所述第二基準電壓(IVREF)的變化值。

10.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述振蕩信號產生部包括：

第一電容器和第二電容器，接收所述內部供應電壓(VPPI)，以分別充電；

第一比較儀和第二比較儀，將所述第三基準電壓(RX_VREF)與分別給所述第一電容器和第二電容器充電的電壓進行比較并予以輸出；

電流源，使給所述第一電容器和第二電容器充電的所述補償電流(RX_IREF)穩定地放電；

重置電路，分別給所述第一電容器和第二電容器充電；以及

輸出脈沖產生器，生成脈沖并予以輸出。

11.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述基準電壓產生部使用帶隙參考電路或者β乘法器參考電路。

12.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述基準電壓產生部包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管以及運算放大器，并且通過所述運算放大器的輸出電壓控制所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的柵極，使得流過對所述外部供應電壓(VDD)和溫度的變化穩定的電流。

13.根據權利要求12所述的振蕩電路，其特征在于，

將所述輸出電壓用作所述基準電壓(Vbp)。

14.根據權利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，

所述內部供應電壓產生部包括運算放大器、第一電阻(R1)和第二電阻(R2)，所述運算放大器通過第一輸入端接收所述第一基準電壓(PVREF)，并且通過第二輸入端接收在與接地部連接的所述第二電阻(R2)兩端的電壓，并互相比較，然后輸出所述內部供應電壓(VPPI)。