[發明專利]液晶顯示設備、用于驅動該液晶顯示設備的方法、以及包括該液晶顯示設備的電子設備

有效

• 申請號: 201080053977.X
• 申請日: 2010-11-04
• 公開（公告）號: CN102648490A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 小山潤;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G02F1/133;G02F1/1368;G09G3/20
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢孟清

1.一種液晶顯示設備，包括：

包括被排列成供應有至少第一圖像信號和第二圖像信號的多個像素的像素部分；

包括被配置成選擇性地控制信號線的信號線驅動電路和被配置成選擇性地控制柵極線的柵極線驅動電路的驅動電路；

被配置成存儲所述第一圖像信號和所述第二圖像信號的存儲器電路；

被配置成比較存儲在所述像素中的存儲器電路內的所述第一圖像信號和所述第二圖像信號，并檢測所述第一圖像信號和所述第二圖像信號之間的差異的比較電路；以及

被配置成根據所述差異控制所述驅動電路并讀取所述第二圖像信號的顯示控制電路，

其中所述顯示控制電路被配置成只將所述第二圖像信號供應給檢測到所述差異的像素，

其中所述像素包括薄膜晶體管，

其中所述薄膜晶體管的柵極電連接到所述柵極線，所述薄膜晶體管的第一端子電連接到所述信號線，而所述薄膜晶體管的第二端子電連接到像素電極，以及

其中所述薄膜晶體管包括包含氧化物半導體的半導體層。

2.如權利要求1所述的液晶顯示設備，其特征在于，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體中的氫濃度低于或等于1×10¹⁶/cm³。

3.如權利要求1所述的液晶顯示設備，其特征在于，所述氧化物半導體的載流子濃度低于1×10¹⁴/cm³。

4.如權利要求1所述的液晶顯示設備，其特征在于，

所述像素部分包括每一像素中的所述像素電極，并且與端子部分和開關晶體管一起設置在第一基板上，

對電極設置在第二基板上，

液晶保持在所述像素電極和所述對電極之間，

所述對電極通過所述開關晶體管電連接到所述端子部分，以及

所述開關晶體管中所包括的半導體層包含氧化物半導體。

5.如權利要求4所述的液晶顯示設備，其特征在于，通過二次離子質譜法測量的所述開關晶體管的半導體層中的氫濃度低于或等于1×10¹⁶/cm³。

6.如權利要求4所述的液晶顯示設備，其特征在于，所述開關晶體管的半導體層的載流子濃度低于1×10¹⁴/cm³。

7.一種包括如權利要求1所述的液晶顯示設備的電子設備。

8.一種液晶顯示設備，包括：

包括被排列成供應有至少第一圖像信號和第二圖像信號的多個像素的像素部分；

包括被配置成選擇性地控制信號線和選擇線的信號線驅動電路和被配置成用解碼器電路選擇性地控制柵極線的柵極線驅動電路的驅動電路；

被配置成存儲所述第一圖像信號和所述第二圖像信號的存儲器電路；

被配置成比較存儲在所述像素中的存儲器電路內的所述第一圖像信號和所述第二圖像信號，并檢測所述第一圖像信號和所述第二圖像信號之間的差異的比較電路；以及

被配置成根據所述差異控制所述驅動電路并讀取所述第二圖像信號的顯示控制電路，

其中所述顯示控制電路被配置成只將所述第二圖像信號供應給其中通過控制所述解碼器電路而檢測到所述差異的像素，

其中所述像素包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，

其中所述第一薄膜晶體管的柵極電連接到所述柵極線，所述第一薄膜晶體管的第一端子電連接到所述信號線，而所述第一薄膜晶體管的第二端子電連接到所述第二薄膜晶體管的第一端子，

其中所述第二薄膜晶體管的柵極電連接到所述選擇線，而所述第二薄膜晶體管的第二端子電連接到像素電極，以及

其中所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管各自包括包含氧化物半導體的半導體層。

9.如權利要求8所述的液晶顯示設備，其特征在于，通過二次離子質譜法測量的所述氧化物半導體中的氫濃度低于或等于1×10¹⁶/cm³。

10.如權利要求8所述的液晶顯示設備，其特征在于，所述氧化物半導體的載流子濃度低于1×10¹⁴/cm³。