[發明專利]使用F2及COF2進行等離子體蝕刻和等離子體腔室清潔的方法無效
| 申請號： | 201080053965.7 | 申請日： | 2010-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN102713000A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 馬爾塞洛·里瓦 | 申請（專利權）人： | 索爾維公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23G5/00;B08B7/00;H01J37/32;C23F4/00;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 比利時*** | 國省代碼： | 比利時;BE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 sub cof 進行 等離子體 蝕刻 等離子 體腔 清潔 方法 | ||
1.一種用于在等離子體腔室中蝕刻基底的方法，或者用于從固態本體去除沉積物的方法，該方法包括提供蝕刻氣體作為蝕刻劑的步驟，該蝕刻氣體包括F2或COF2或由其組成，其中該蝕刻或腔室清潔是通過提供產生等離子體的射頻來輔助的，其中該射頻等于或大于15MHz。
2.如權利要求1所述的方法，其中該等離子體是直接等離子體。
3.如權利要求1所述的方法，其中該等離子體是遠程等離子體。
4.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中該蝕刻氣體選自由F2以及包括F2和N2、和/或氬氣或由其組成的混合物所組成的蝕刻氣體。
5.如權利要求1至4中任一項所述的方法，其中該蝕刻氣體的壓力等于或大于0.01巴(絕對壓力)。
6.如權利要求1至5中任一項所述的方法，其中該蝕刻氣體的壓力等于或小于環境壓力。
7.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中該蝕刻氣體中F2的含量按體積計等于或大于10％。
8.如權利要求1至7中任一項所述的方法，其中在半導體、光電池、薄膜晶體管液晶顯示器、以及微機電系統的制造中蝕刻基底。
9.如權利要求1至7中任一項所述的方法，其是清潔腔室的方法。
10.如權利要求1至9中任一項所述的方法，其中該射頻集中在約40MHz至80MHz之間。
11.如權利要求1至10中任一項所述的方法，其中施加以產生該等離子體的功率是從5000至60000W，優選從10000至40000W。
12.一種等離子體，該等離子體通過如權利要求10或11中任一項所述的將含分子氟或COF2的氣體暴露于具有從40至80MHz的頻率的高頻電場獲得。
13.如權利要求12所述的等離子體，其中該含分子氟的氣體在從0.5至50托的氣體壓力下暴露于高頻電場中。
14.如權利要求12或13所述的等離子體，其中施加以產生該等離子體的功率是從5000至60000W，優選從10000至40000W。
15.如權利要求12所述的等離子體用于清潔在半導體、MEMS、平板顯示器、或者光電元件制造過程中使用的處理腔室的用途。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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