[發明專利]通過UV-輔助的化學氣相沉積在聚合物基底上沉積摻雜的ZnO薄膜

有效

• 申請號: 201080053908.9
• 申請日: 2010-10-14
• 公開（公告）號: CN102640254A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 徐琛;G·S·西爾弗曼;R·Y·科羅特科夫;R·G·史密斯
• 申請（專利權）人: 阿科瑪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;C03C17/34;G02B1/11
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 顧敏

1.一種用于在聚合物基底上形成一個層的方法，該方法包括：

(a)用至少一種前體接觸一個聚合物基底；并且

(b)使用紫外光來分解該至少一種前體并且在該聚合物基底上沉積一個層。

2.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該至少一種前體包含一種摻雜劑。

3.根據權利要求2所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該摻雜劑是選自由Al、Ga、In、Tl和B組成的組的至少一種金屬。

4.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該至少一種前體包含鋅。

5.根據權利要求4所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該層是一個摻雜氧化鋅的層。

6.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該層是一個透明的導電氧化物層。

7.根據權利要求6所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該透明導電氧化物層具有小于大約1×10^-3Ωcm的電阻率。

8.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中步驟(b)在低于大約200℃時進行。

9.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中步驟(b)在大約160-200℃時進行。

10.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中在步驟(a)中該至少一種前體以氣相引入。

11.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中所述接觸在大約大氣壓下進行。

12.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該聚合物基底選自下組，該組由以下各項組成：氟聚合物樹脂類，聚酯類，聚丙烯酸酯類，聚酰胺類，聚酰亞胺類，和聚碳酸酯類。

13.根據權利要求1所述的在一個聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該聚合物基底選自下組，該組由以下各項組成：聚偏二氟乙烯(PVDF)，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，聚萘二甲酸乙二酯(PEN)，和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

14.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該紫外光激活了該至少一種前體。

15.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該紫外光具有大約180-310nm的波長。

16.根據權利要求1所述的在聚合物基底上形成一個層的一種方法，其中該方法是化學氣相沉積法。

17.一種用于在聚合物基底上形成包含氧化鋅的一個摻雜層的方法，該方法包括：

(a)用包含鋅和一種摻雜劑的至少一種前體接觸一個聚合物基底；并且

(b)使用紫外光分解該至少一種前體并且在該聚合物基底上沉積包含摻雜的氧化鋅的一個層。

18.沉積在聚合物基底上的包含氧化鋅的一個摻雜層，該層通過以下方法獲得：

(a)將包含鋅和一種摻雜劑的至少一種前體引入到包含聚合物基底的一個容器中；并且

(b)使用紫外光分解該至少一種前體并且在該聚合物基底上沉積包含摻雜的氧化鋅的一個層。