[發(fā)明專利]用于處理倒角邊緣的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080053879.6
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102640267A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杰克·陳;金潤祥
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種處理襯底的方法，包括：

將襯底放置在倒角處理腔室中；

提供約束在所述倒角處理腔室的周邊區(qū)域中的鈍化等離子體；

利用所述鈍化等離子體僅在所述襯底的倒角區(qū)域周圍在所述襯底上形成鈍化層；以及

停止所述鈍化等離子體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其中，所述鈍化層為聚合物膜或無機膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其中，所述提供所述鈍化等離子體包括：

使鈍化氣體流到所述周邊區(qū)域；

由所述鈍化氣體產(chǎn)生所述鈍化等離子體；以及

將所述鈍化等離子體約束到所述周邊區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3中所述的方法，其中，所述倒角處理腔室包括：

襯底支撐件，其容納所述襯底，所述襯底支撐件具有比所述襯底的直徑小的直徑；

氣體分布板，其與所述襯底支撐件相對；

下邊緣約束環(huán)，其具有變化的外徑以控制所述等離子體在所述襯底背面上的物理約束；

上邊緣約束環(huán)，其具有變化的外徑以控制所述等離子體在所述襯底正面上的物理約束；

下邊緣電極，其圍繞所述襯底支撐件并且與所述襯底支撐件電隔離；以及

上邊緣電極，其與所述下邊緣電極相對，所述上邊緣電極圍繞所述氣體分布板并且與所述氣體分布板電隔離，

其中，所述約束所述鈍化等離子體包括下述中的至少一項：

控制所述氣體分布板和面向所述分布板的所述襯底的表面之間的距離；以及

控制所述上下邊緣約束陶瓷環(huán)的所述外徑，

并且其中，通過提供RF功率在所述下邊緣電極和所述上邊緣電極之間產(chǎn)生所述鈍化等離子體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，進一步包括：

用后續(xù)工藝制程來處理所述襯底，在所述后續(xù)工藝制程期間所述襯底的所述倒角邊緣區(qū)域受所述鈍化層保護；以及

去除所述鈍化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，進一步包括：

通過增強等離子體約束以使圖案化等離子體形成在距所述襯底的中心更遠的外周邊區(qū)域中的方式來提供形成在所述處理腔室的所述外周邊區(qū)域中的所述圖案化等離子體；

利用所述圖案化等離子體，通過去除所述倒角區(qū)域的外邊緣部上的所述鈍化層，同時仍保持所述倒角區(qū)域的內(nèi)部上的所述鈍化層，使所述鈍化層圖案化；

停止所述圖案化等離子體；

利用所述圖案化的鈍化層作為保護掩膜來清潔所述襯底的所述倒角邊緣；以及

去除其余的鈍化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述提供所述圖案化等離子體包括：

使圖案化氣體流到所述外周邊區(qū)域；

由所述圖案化氣體產(chǎn)生所述圖案化等離子體；以及

將所述圖案化等離子體約束到所述外周邊區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述倒角處理腔室包括：

襯底支撐件，其容納所述襯底，所述襯底支撐件具有比所述襯底的直徑小的直徑；

氣體分布板，其與所述襯底支撐件相對；

下邊緣約束環(huán)，其具有變化的外徑以控制所述等離子體在所述襯底背面上的所述物理約束；

上邊緣約束環(huán)，其具有變化的外徑以控制所述等離子體在所述襯底正面上的所述物理約束；

下邊緣電極，其圍繞所述襯底支撐件并且與所述襯底支撐件電隔離；以及

上邊緣電極，其與所述下邊緣電極相對，所述上邊緣電極圍繞所述氣體分布板并且與所述氣體分布板電隔離，

其中，所述增強等離子體約束包括下述項中的至少一項：

減小所述氣體分布板和面向所述分布板的所述襯底的表面之間的距離；以及

控制所述上下邊緣約束陶瓷環(huán)的所述外徑，

并且其中，通過提供RF功率在所述下邊緣電極和所述上邊緣電極之間產(chǎn)生所述圖案化等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述圖案化在所述外邊緣部中暴露所述鈍化層下面的下伏層，所述清潔所述倒角邊緣包括：

從所述外邊緣部去除由氧化物膜制成的暴露的所述下伏層。