[發明專利]碳化硅單晶的制造方法

有效

• 申請號: 201080053810.3
• 申請日: 2010-10-18
• 公開（公告）號: CN102630257A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 增田隆;小古井久雄;橋本勝彥
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

1.一種碳化硅單晶的制造方法，具有通過向配置在臺座上的碳化硅晶種供給碳化硅原料的升華氣體，在所述碳化硅晶種上生長碳化硅單晶的工序，其中，

在所述臺座和所述碳化硅晶種之間配置由碳化硅構成的隔離構件，

將該隔離構件以非粘結的方式利用支持構件保持在所述臺座上，

在所述隔離構件的與所述臺座相反的一側的面上粘結所述碳化硅晶種，

以所述隔離構件和所述碳化硅晶種的粘結面與所述支持構件的最下位置在垂直方向上間隔5mm以上的方式，相對地配置所述隔離構件和所述支持構件。

2.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，所述隔離構件的所述粘結面，與所述碳化硅晶種的翹曲形狀一致地進行了曲率加工。

3.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，所述隔離構件和所述碳化硅晶種的翹曲的大小之差為±5μm以下。

4.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，所述隔離構件由多晶、單晶或者燒結體的任一種形成。

5.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，所述隔離構件由多個層構成。

6.根據權利要求5所述的碳化硅單晶的制造方法，在所述多個層之間具備有緩沖層。

7.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，

所述隔離構件在其外周具備支持接受部，

所述支持構件在其下部具備鉤部，

所述隔離構件的所述支持接受部被所述支持構件的鉤部支持。

8.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，

在所述支持構件的內周形成有內螺紋，

在所述臺座的外周形成有與所述內螺紋螺合的外螺紋，

通過將所述支持構件和/或所述臺座相對轉動，能夠調整所述臺座和所述隔離構件的間隔。

9.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，所述支持構件由石墨構成。

10.根據權利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，在所述臺座和所述隔離構件之間具備有緩沖構件。

11.根據權利要求10所述的碳化硅單晶的制造方法，所述緩沖構件由格拉夫石墨、碳氈或者高熔點金屬構成。