[發(fā)明專利]用于硫?qū)倩锕夥鼞?yīng)用的低熔點濺射靶及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080053733.1
• 申請日: 2010-11-24
• 公開（公告）號: CN102630254A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邁克爾·巴塞洛繆茲;布賴恩·約瑟夫·巴塞洛繆茲;馬里安娜·穆特安祐;伊洛·戈特
• 申請（專利權(quán)）人: AQT太陽能公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14;B22F3/115
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 李劍

1.一種用于沉積半導(dǎo)體性硫?qū)僭鼗锬さ臑R射靶結(jié)構(gòu)體，其包括：

靶體，其具有包含Cu_1-x(Se_1-y-zS_yTe_z)_x的靶體組合物，其中：

x的值大于或等于約0.5；

y的值在約0到約1之間，并包括0和1；

z的值在約0到約1之間，并包括0和1；并且

所述靶體組合物中Se、S和Te相的總量小于所述靶體組合物的50體積％。

2.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，CuSe相和CuSe₂相占所述靶體組合物的至少約50體積％(50vol.％)。

3.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，CuSe相和CuSe₂相占所述靶體組合物的至少約80體積％(80vol.％)。

4.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，CuSe相和CuSe₂相占所述靶體組合物的至少約90體積％(90vol.％)。

5.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，所述濺射靶組合物的純度為至少約2N7，氣體雜質(zhì)濃度對于氧(O)、氮(N)、氫(H)每項都低于約500ppm(百萬分之一)，碳(C)雜質(zhì)濃度低于約500ppm，密度為所述濺射靶組合物的理論密度的至少95％。。

6.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，所述濺射靶組合物包含一種或更多種選自由磷(P)、氮(N)、硼(B)、砷(As)和及銻(Sb)組成的組中的摻雜劑。

7.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，所述濺射靶組合物包含至多約5原子％的元素Na、鉀(K)、銣(RB)或鎂(Mg)中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，所述濺射靶組合物包含至多約10原子％的下列元素中的至少一種：Al，Si，Ti，V，Zn，Ga，Zr，Nb，Mo，Ru，Pd，In，Sn，Ta，W，Re，Ir，Pt，Au，Pb，以及Bi。

9.如權(quán)利要求1所述的濺射靶結(jié)構(gòu)體，其中，所述濺射靶組合物包含一種或更多種絕緣的氧化物、氮化物、碳化物和/或硼化物。

10.一種方法，其包括：

提供一個或更多個鑄錠，所述一個或更多個鑄錠總共地含有用于生產(chǎn)具有包含Cu_1-x(Se_1-y-zS_yTe_z)_x的濺射靶組合物的濺射靶的材料；其中：

x的值大于或等于約0.5；

y的值在約0到約1之間，并包括0和1；

z的值在約0到約1之間，并包括0和1；并且

所述靶體組合物中Se、S和Te相的總量小于所述靶體組合物的50體積％；

熔化所述一個或更多個鑄錠；

將所述一個或更多個鑄錠的熔化材料倒入模具中；并且

控制倒入所述模具中的材料的冷卻速率從而控制所述材料的凝固。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述冷卻速率小于約每分鐘4000攝氏度。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括向所述一個或更多個鑄錠中的至少一個施加一個或更多個鑄造后致密化操作。

13.一種方法，其包括：

提供一種或更多種粉末，所述一種或更多種粉末總共地含有用于生產(chǎn)具有包含Cu_1-x(Se_1-y-zS_yTe_z)_x的濺射靶組合物的濺射靶的材料；其中：

x的值大于或等于約0.5；

y的值在約0到約1之間，并包括0和1；

z的值在約0到約1之間，并包括0和1；并且

所述靶體組合物中Se、S和Te相的總量小于所述靶體組合物的50體積％；

熔化所述一種或更多種粉末；

將所述一種或更多種粉末的熔化材料倒入模具中；并且

控制倒入所述模具中的材料的冷卻速率從而控制所述材料的凝固。