[發(fā)明專利]單晶制造裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080053719.1 | 申請日： | 2010-12-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102630256A | 公開（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 島田聰郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 信越半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/14 | 分類號(hào)： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 裝置 | ||
1.一種單晶制造裝置，是利用切克勞斯基法來制造單晶錠的單晶制造裝置，具備：坩堝，其容置原料熔液；加熱器，其具有圍繞該坩堝的圓筒形發(fā)熱部；主室，其容置該加熱器；加熱電極，其支持所述加熱器，并供給電流；及絕熱板，其被配置于所述加熱器的圓筒形發(fā)熱部的下方；其中，所述單晶制造裝置的特征在于：
所述絕熱板，經(jīng)由絕緣性固定構(gòu)件，被固定并支持于所述加熱電極，并在所述絕熱板的頂面與所述圓筒形發(fā)熱部的下端相對應(yīng)的位置處，配置有絕緣性支持構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶制造裝置，其中，所述加熱電極在兩處支持所述加熱器，所述絕熱板的頂面的配置有所述絕緣性支持構(gòu)件的位置，與所述圓筒形發(fā)熱部下端的所述加熱電極支持所述加熱器的位置旋轉(zhuǎn)90度后的位置相對應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的單晶制造裝置，其中，所述絕緣性支持構(gòu)件的上端與所述加熱器的圓筒形發(fā)熱部的下端之間的距離為0～5mm。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的單晶制造裝置，其中，所述加熱器的圓筒形發(fā)熱部的內(nèi)徑為850mm以上。
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