1.方法，包括以下步驟：

a)提供反應(yīng)混合物，其包含：

i)第一元素源，其選自Cu、Ag、Au、Cu鹽、Ag鹽、Au鹽或它們的混合物；

ii)第二元素源，其選自Zn、Cd和Hg、Zn鹽、Cd鹽、Hg鹽或它們的混合物；

iii)第三元素源，其選自Ge、Sn和Si、Ge鹽、Sn鹽、Si鹽或它們的混合物；

iv)硫?qū)僭卦矗缓?/p>

v)助熔劑；

其中所述反應(yīng)混合物中的(第一元素)∶(第二元素)∶(第三元素)∶(硫?qū)僭?的總摩爾比為約2∶1∶1∶(4或更大)；

b)在惰性氣氛中將所述反應(yīng)混合物加熱至約150℃至約1000℃的溫度；以及

c)冷卻所述反應(yīng)混合物。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述第一元素為Cu，所述第二元素為Zn或Cd，所述第三元素為Ge或Sn，并且所述硫?qū)僭貫镾。

3.權(quán)利要求1的方法，其中所述硫?qū)僭卦匆彩撬龅谝辉卦础⑺龅诙卦椿蛩龅谌卦础?!-- SIPO -->

4.權(quán)利要求1的方法，其中所述第一元素源也是所述第二元素源或所述第三元素源，或所述第二元素源為所述第三元素源。

5.權(quán)利要求1的方法，其制備式(E1)₂(E2)₁(E3)₁(硫?qū)僭?4的組合物，其中E1為所述第一元素并且為Cu、Ag和Au中的一種或多種；E2為所述第二元素并且為Zn、Cd或Hg中的一種或多種；并且E3為所述第三元素并且為Ge、Sn或Si中的一種或多種。

6.權(quán)利要求1的方法，其制備式Cu₂ZnSnSe₄、Cu₂ZnGeS₄、Cu₂ZnSnS₃Se₁、Cu₂CdSnS₄或Cu₂ZnSnS₄的組合物。

7.權(quán)利要求1的方法，其中在步驟b)或步驟c)之后通過(guò)用助熔劑溶劑洗滌來(lái)從所述反應(yīng)混合物中除去所述助熔劑。

8.權(quán)利要求1的方法，其中所述助熔劑溶劑為水、醇、酰胺、四氫呋喃、酮、酯、醚、二甲基亞砜、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、碳酸二甲酯、氨水、氫氧化銨、碳酸二乙酯、甲醇、乙醇、異丙醇、二甲基甲酰胺、丙酮、乙基甲基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醚、二丁基醚或它們的混合物。

9.權(quán)利要求1的方法，其中所述助熔劑為鹽，其包含：

(a)一種或多種選自銫、銣、鋇和鑭的陽(yáng)離子，并且任選包含一種或多種選自鋰、鈉、鉀、銅、銀、金、鈹、鎂、鈣、鍶、鋅、鎘、汞、硼、鋁、鎵、銦、鉈、鈧和釔的陽(yáng)離子；和(b)一種或多種選自氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、氧離子、氫氧根、硫離子、硒離子、碲離子、碳酸根、硅酸根、硫酸根、磷酸根、焦磷酸根、硫酸根、磺酸根和膦酸根陰離子的陰離子。

10.權(quán)利要求1的方法，其中所述助熔劑包括氯化物、溴化物或碘化物。

11.權(quán)利要求1的方法，其中所述助熔劑包括BaCl₂、CdCl₂、CsAlCl₄、CsBr、CsCl、CsF、CsI、KCl、LaCl₃、LiCl、MgCl₂、NaCl、RbBr、RbCl、RbI、ZnCl₂或它們的混合物。

12.權(quán)利要求1的方法，其中所述反應(yīng)混合物在開口容器中加熱。

13.權(quán)利要求1的方法，其中將所述反應(yīng)混合物加熱至約400℃至約800℃的溫度。

14.權(quán)利要求1的方法，還包括分離式(E1)₂(E2)₁(E3)₁(硫?qū)僭?4的組合物，其中E1為所述第一元素并且為Cu、Ag和Au中的一種或多種；E2為所述第二元素并且為Zn、Cd或Hg中的一種或多種；并且E3為所述第三元素并且為Ge、Sn或Si中的一種或多種。

15.權(quán)利要求1的方法，還包括分離式Cu₂ZnSnSe₄、Cu₂ZnGeS₄、Cu₂ZnSnS₃Se₁、Cu₂CdSnS₄或Cu₂ZnSnS₄的組合物。