[發明專利]供體基板、圖案化方法和器件的制造方法

無效

• 申請號: 201080052642.6
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN102668704A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 藤森茂雄;谷村寧昭;西村誠一郎
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: H05B33/10
• 分類號: H05B33/10;H01L51/50
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種供體基板，該供體基板包括：支撐體；形成于所述支撐體上的光熱轉換層和抗轉印層；以及形成于所述光熱轉換層和所述抗轉印層的上表面的轉印材料層，其中，轉印區域和非轉印區域是通過所述光熱轉換層和所述抗轉印層的組合而形成的，所述轉印材料層形成于所述轉印區域的整個表面和所述非轉印區域的至少一部分上。

2.如權利要求1所述的供體基板，其中，所述轉印材料層大致整面地形成于所述光熱轉換層和所述抗轉印層的上表面。

3.如權利要求1或2所述的供體基板，其中，非轉印區域的厚度為轉印區域的厚度的5倍以上。

4.如權利要求1～3任一項所述的供體基板，其中，所述光熱轉換層大致整面地形成于所述支撐體上，在所述光熱轉換層上圖案化地形成有所述抗轉印層，所述抗轉印層的形成部作為抗轉印區域而發揮功能，所述抗轉印層的非形成部作為轉印區域而發揮功能。

5.如權利要求1～3任一項所述的供體基板，其中，在所述支撐體上圖案化地形成所述抗轉印層，光熱轉換層形成于包括所述抗轉印層上表面的大致整個表面，形成有所述抗轉印層的部分為非轉印區域，未形成所述抗轉印層的部分為轉印區域。

6.如權利要求1～5任一項所述的供體基板，其中，與轉印材料層相接觸的部分由無機物構成。

7.如權利要求1～6任一項所述的供體基板，其中，轉印材料層是利用干法而形成的。

8.一種圖案化方法，其將權利要求1～7任一項所述的供體基板與器件基板相對配置，并且由供體基板的支撐體側照射光而使轉印區域的至少一部分和非轉印區域的至少一部分同時被加熱，從而僅將轉印材料層中的轉印區域部分轉印至器件基板。

9.如權利要求8所述的圖案化方法，其中，向光熱轉換層照射比轉印區域的寬度寬的光。

10.如權利要求8或9所述的圖案化方法，其中，通過分成多次來照射光，從而在膜厚方向上分多次對轉印材料層進行轉印。

11.一種器件的制造方法，其中，利用權利要求8～10的任一項所述的方法，對構成器件的層的至少一層進行圖案化。

12.如權利要求11所述的器件的制造方法，其中，器件為有機EL元件，圖案化的層為發光層。