[發明專利]非易失性鎖存電路和邏輯電路，以及使用其的半導體器件

有效

• 申請號: 201080052404.5
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102668077A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 加藤清;小山潤
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/00;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/786;H03K3/037;H03K3/356;H03K19/00;H03K19/0948;H03K1
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種非易失性鎖存電路，包括：

鎖存部分；以及

用于保持所述鎖存部分的數據的數據保持部分，

所述鎖存部分包括：

第一元件；以及

第二元件，

其中所述第一元件的輸出電連接至所述第二元件的輸入，且所述第二元件的輸出電連接至所述第一元件的輸入，且

其中，所述第一元件的輸入電連接至被提供有輸入信號的引線，且所述第一元件的輸出電連接至被提供有輸出信號的引線，

所述數據保持部分包括：

晶體管；以及

反相器，

其中所述晶體管的溝道形成區包括氧化物半導體層，且

其中所述晶體管的源電極和漏電極中的一個電連接至被提供有所述輸出信號的所述引線，所述晶體管的所述源電極和漏電極中的另一個電連接至所述反相器的輸入，且所述反相器的輸出電連接至被提供有所述輸入信號的所述引線。

2.如權利要求1所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述氧化物半導體層包括銦、鎵和鋅。

3.如權利要求1所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管控制數據寫入所述反相器的柵極電容器。

4.如權利要求1所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管具有保持所述反相器的柵極電容器中的數據的功能。

5.如權利要求1所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述第一元件是NAND，且所述第二元件是鐘控反相器。

6.一種非易失性鎖存電路，包括：

鎖存部分；以及

用于保持所述鎖存部分的數據的數據保持部分，

所述鎖存部分包括：

第一元件；以及

第二元件，

其中所述第一元件的輸出電連接至所述第二元件的輸入，且所述第二元件的輸出電連接至所述第一元件的輸入，且

其中，所述第一元件的輸入電連接至被提供有輸入信號的引線，且所述第一元件的輸出電連接至被提供有輸出信號的引線，

所述數據保持部分包括：

晶體管，

電容器；以及

反相器，

其中所述晶體管的溝道形成區包括氧化物半導體層，且

其中所述晶體管的源電極和漏電極中的一個電連接至被提供有所述輸出信號的所述引線，所述晶體管的所述源電極和漏電極中的另一個電連接至所述電容器的電極中的一個和所述反相器的輸入，且所述反相器的輸出電連接至被提供有所述輸入信號的所述引線。

7.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述氧化物半導體層包括銦、鎵和鋅。

8.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管控制數據寫入所述反相器的柵極電容器。

9.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管具有保持所述反相器的柵極電容器中的數據的功能。

10.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管控制數據寫入所述電容器。

11.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述晶體管具有保持所述電容器中的數據的功能。

12.如權利要求6所述的非易失性鎖存電路，其特征在于，所述第一元件是NAND，且所述第二元件是鐘控反相器。