[發明專利]CVD裝置

無效

• 申請號: 201080052380.3
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN102686774A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: D·希拉布蘭德;K·麥科伊
• 申請（專利權）人: 赫姆洛克半導體公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種用于在載體上沉積材料的制造裝置，該載體具有彼此間隔的第一端和第二端且帶有被布置在所述載體的每個端的插座，所述裝置包括：

外殼，其限定了腔室；

入口，其被限定為穿過所述外殼，以用于將氣體引入所述腔室；

出口，其被限定為穿過所述外殼，以用于將所述氣體從所述腔室排出；

至少一個電極，其被布置穿過所述外殼且所述電極至少部分地被布置于所述腔室內，以用于與所述插座耦合，所述電極包括：

軸，其具有第一端和第二端；

頭部，其被布置在所述軸的所述端之一上，其中所述電極的所述頭部具有外部表面，所述外部表面具有適于接觸所述插座的接觸區；

電源設備，其被耦合到所述電極，以用于將電流提供到所述電極；以及

外部涂層，其被布置在所述接觸區外的所述電極的所述外部表面上，以mm³/N*m度量，所述外部涂層具有比鎳更大的耐磨性。

2.根據權利要求1所述的制造裝置，其中，所述電極由基體金屬形成，并且其中，所述外部涂層被直接布置在所述電極的所述基體金屬上。

3.根據權利要求2所述的制造裝置，其中，所述基體金屬從銅、銀、鎳、鉻鎳鐵合金、以及其合金的組中選擇。

4.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述外部涂層還被限定為物理氣相沉積涂層或者等離子輔助化學氣相沉積涂層之一。

5.根據權利要求1-3中的任一項所述的制造裝置，其中，所述外部涂層還被限定為動態化合沉積涂層。

6.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，按照ASTM?G99-5，所述外部涂層具有至少為6×10⁶mm³/N*m的耐磨性。

7.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述外部涂層在室溫下具有小于7×10⁶姆歐/米的電導率。

8.根據權利要求7所述的制造裝置，其中，所述外部涂層包含類金剛石碳化合物。

9.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述接觸區沒有被布置在其上的涂層。

10.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述外部涂層被布置在所述軸和所述接觸區外的所述頭部中的至少一個上。

11.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述外部涂層被布置在所述軸上和所述接觸區外的所述頭部上，并且其中所述軸上的所述外部涂層包含不同于所述頭部上的所述外部涂層的材料。

12.根據權利要求1-10中的任一項所述的制造裝置，其中，所述軸沒有被布置在其外部表面上的涂層。

13.根據任一前述權利要求所述的制造裝置，其中，所述外部涂層具有從大約0.1到大約5μm的厚度。

14.一種電極，其與制造裝置一起使用以將材料沉積在載體上，所述載體具有彼此間隔的第一端和第二端且帶有被布置在所述載體的每個端的插座，所述電極包括：

軸，其具有第一端和第二端；

頭部，其被布置在所述軸的所述端之一上，其中，所述頭部具有外部表面，所述外部表面具有適于接觸所述插座的接觸區；以及

外部涂層，其被布置在所述接觸區外的所述電極的所述外部表面上，以mm³/N*m度量，所述外部涂層具有比鎳更大的耐磨性。

15.根據權利要求14所述的電極，其中，所述電極由基體金屬形成，并且其中，所述外部涂層被直接布置在所述電極的所述基體金屬上。

16.根據權利要求15所述的電極，其中，所述基體金屬從銅、銀、鎳、鉻鎳鐵合金、以及其合金的組中選擇。

17.根據權利要求14-16中的任一項所述的電極，其中，所述外部涂層還被限定為物理氣相沉積涂層或者等離子輔助化學氣相沉積涂層之一。

18.根據權利要求14-16中的任一項所述的電極，其中，所述外部涂層還被限定為動態化合沉積涂層。