[發(fā)明專利]用于產(chǎn)生硅層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080052321.6
• 申請(qǐng)日: 2010-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN102597318A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.韋伯;M.帕茨;R.卡里厄斯;T.布龍格;M.克勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 贏創(chuàng)德固賽有限公司
• 主分類號(hào): C23C18/14
• 分類號(hào): C23C18/14;C23C18/12;H01L21/02
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 石克虎;林森

1.用于在襯底上熱產(chǎn)生硅層的液相方法，其中將至少一種高級(jí)硅烷施涂到襯底上，然后將其熱轉(zhuǎn)化成基本上由硅構(gòu)成的層，所述高級(jí)硅烷能由至少一種通式Si_aH_2a+2(這里a=3-10)的氫化硅烷來制備，

其特征在于，

所述高級(jí)硅烷的熱轉(zhuǎn)化

-?在500-900℃的溫度

-?和≤5分鐘的轉(zhuǎn)化時(shí)間條件下進(jìn)行。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其特征在于，

所述至少一種高級(jí)硅烷具有330-10000g/mol的重均分子量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2的方法，

其特征在于，

將溶解在溶劑中的所述至少一種高級(jí)硅烷施涂到所述襯底上。

4.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

基于包含所述至少一種高級(jí)硅烷的組合物的總質(zhì)量計(jì)，以5-100重量%的比例使用所述至少一種高級(jí)硅烷。

5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

將所述至少一種高級(jí)硅烷與至少一種摻雜物一起施涂到所述襯底上，所述摻雜物選自第III主族或者第V主族元素的化合物。

6.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

所述襯底由玻璃、石英玻璃、石墨、金屬、塑料或者硅或者由位于熱相容性載體上的硅層、氧化銦錫層、ZnO:F層或者SnO₂:F層構(gòu)成。

7.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

所述至少一種高級(jí)硅烷的施涂經(jīng)由選自下面的方法進(jìn)行：印刷方法，噴涂方法，旋涂方法，浸涂方法，彎月面形涂覆，狹縫式涂覆，狹縫模頭涂覆和簾涂。

8.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

所述熱轉(zhuǎn)化在500-650℃的溫度進(jìn)行。

9.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

所述轉(zhuǎn)化時(shí)間是0.1ms-120s，特別優(yōu)選0.1-60s。

10.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

所述熱轉(zhuǎn)化在單個(gè)熱加工步驟內(nèi)完成。

11.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

在熱處理之前、期間或者之后用UV射線輻照。

12.根據(jù)前述任一權(quán)利要求的方法，

其特征在于，

在施涂高級(jí)硅烷之后和在其轉(zhuǎn)化之前，施加減壓。

13.硅層，其能根據(jù)權(quán)利要求1-12之一生產(chǎn)。

14.能根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)生產(chǎn)的至少一種硅層用于生產(chǎn)電子或者光電部件層的用途。