[發明專利]設備、薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201080052072.0
• 申請日: 2010-11-18
• 公開（公告）號: CN102714278A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 新海征治;原口修一;白木智丈;小川雅司;中谷修平;坂上惠;后藤修;柿本秀信
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社;住友化學株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/42;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種設備，其特征在于，具有

基板、

形成于所述基板上的第一電極、

形成于所述第一電極的上方的功能性薄膜、和

設置在所述功能性薄膜的上方的第二電極，

并且在所述功能性薄膜的形成區域的周圍還具有膜，所述膜含有含氟的基團與π共軛系通過環烯結構或環烷結構結合而得的化合物。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，

所述功能性薄膜位于所述第一電極的某一區域，

所述含有化合物的膜位于所述第一電極的某一區域的周圍。

3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，

所述第一電極位于所述基板的第一區域；

所述功能性薄膜位于第二區域，所述第二區域覆蓋所述第一電極的至少一部分且在至少一部分包含所述基板的所述第一區域；

所述含有化合物的膜位于所述基板的所述第二區域的周圍。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的設備，其特征在于，

在所述功能性薄膜與第一電極之間含有具有π共軛系的有機硅化合物。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的設備，其特征在于，

在所述第一電極與所述功能性薄膜之間具有包含無機氧化物的電荷注入層，

在所述電荷注入層與所述功能性薄膜之間含有具有π共軛系的有機硅化合物。

6.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，

具有以覆蓋所述第一電極的周圍的至少一部分的方式位于所述基板上且限制所述功能性薄膜的有效區域的限制層，

所述含有化合物的膜位于所述限制層的表面的、存在所述功能性薄膜的區域的周邊區域。

7.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，

在所述第一電極與所述功能性薄膜之間具有包含無機氧化物的電荷注入層，

在所述電荷注入層與所述功能性薄膜之間含有具有π共軛系的有機硅化合物。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的設備，其特征在于，

所述功能性薄膜含有電流注入型發光材料。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的設備，其特征在于，

所述功能性薄膜含有光電轉換材料。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的設備，其特征在于，

所述化合物是通過對第一膜和第二膜進行光照射而使下述化合物(A)的π共軛系與化合物(B)的π共軛系結合而形成的化合物，所述第一膜是將含有作為具有π共軛系的有機硅化合物的化合物(A)的溶液涂布在所述基板上而形成的，所述第二膜是將含有含π共軛系和氟的化合物(B)的溶液涂布在第一膜上而形成的。

11.一種薄膜晶體管，其特征在于，具有

基板、

形成于所述基板上的柵電極、

形成于所述柵電極上的絕緣膜、

形成于所述絕緣膜上的源電極、

形成于與形成有所述源電極的區域不同的所述絕緣膜上的區域的漏電極、以及

覆蓋所述絕緣膜上的所述源電極與所述漏電極之間的區域并且覆蓋所述源電極和所述漏電極的端部而形成的功能性薄膜；

在所述源電極和所述漏電極上的所述功能性薄膜的形成區域的周圍還具有膜，所述膜含有含氟的基團與π共軛系通過環烯結構或環烷結構結合而得的化合物。

12.一種薄膜晶體管，其特征在于，具有

基板、

形成于所述基板上的源電極、

形成于與形成有所述源電極的區域不同的所述基板上的區域的漏電極、

覆蓋所述基板上的所述源電極與所述漏電極之間的區域并且覆蓋所述源電極和所述漏電極的端部而形成的功能性薄膜、

以覆蓋所述功能性薄膜的方式形成的絕緣膜、以及

形成于所述絕緣膜上的柵電極；

在所述源電極和所述漏電極上的所述功能性薄膜的形成區域的周圍還具有膜，所述膜含有含氟的基團與π共軛系通過環烯結構或環烷結構結合而得的化合物。