[發明專利]顯示器件以及包含顯示器件的電子器件有效
| 申請號: | 201080051723.4 | 申請日: | 2010-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN102598095A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 高橋圭;山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30;G09G3/20;G09G3/30;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 陳華成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 以及 包含 電子器件 | ||
1.一種顯示器件,包括:
像素部分,包括多個像素,每個像素包括第一晶體管、第二晶體管以及具有一對電極的發光元件,
其中,所述第一晶體管的第一柵極與掃描線電連接,所述第一晶體管的第一源極和第一漏極之一與信號線電連接,所述第一晶體管的第一源極和第一漏極中的另一個與所述第二晶體管的第二柵極電連接,
其中,所述第二晶體管的第二源極和第二漏極之一與電源線電連接,所述第二晶體管的第二源極和第二漏極中的另一個與所述發光元件的一對電極中的一個電極電連接,且
其中,所述第一晶體管包括其氫濃度為5×1019/cm3或更小的第一氧化物半導體層。
2.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述顯示器件顯示靜止圖像的時段包括停止向所述像素部分內的全部所述掃描線輸出信號的時段。
3.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述多個像素每個還包括發光層。
4.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述第一氧化物半導體層的載流子濃度小于1×1014/cm3。
5.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述第一氧化物半導體層的帶隙為2eV或更大。
6.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述第二晶體管包括其氫濃度為5×1019/cm3或更小的第二氧化物半導體層。
7.根據權利要求1所述的顯示器件,其中所述第二晶體管包括多晶硅層。
8.一種電子器件,包括根據權利要求1所述的顯示器件。
9.一種顯示器件,包括:
像素部分,包括多個像素,每個像素包括第一晶體管、第二晶體管以及具有一對電極的發光元件;
驅動電路部分,用于驅動所述像素部分;
信號發生電路,用于生成對所述驅動電路部分進行驅動的控制信號以及供應給所述多個像素的圖像信號;
存儲電路,用于存儲各個幀周期的圖像信號;
比較電路,用于檢測在存儲于所述存儲電路內的所述各個幀周期的圖像信號當中的連續幀周期的圖像信號之間的差異;
選擇電路,用于在所述比較電路檢測到差異時選擇并輸出所述連續幀周期的圖像信號;以及
顯示控制電路,用于在所述比較電路檢測到差異時將所述控制信號和由所述選擇電路輸出的所述圖像信號供應給所述驅動電路部分,并且在所述比較電路沒有檢測到差異時停止給所述驅動電路部分供應所述控制信號,
其中所述第一晶體管的第一柵極與掃描線電連接,所述第一晶體管的第一源極和第一漏極之一與信號線電連接,所述第一晶體管的第一源極和第一漏極中的另一個與所述第二晶體管的第二柵極電連接,
其中所述第二晶體管的第二源極和第二漏極之一與電源線電連接,所述第二晶體管的第二源極和第二漏極中的另一個與所述發光元件的一對電極中的一個電極電連接,且
其中所述第一晶體管包括其氫濃度為5×1019/cm3或更小的第一氧化物半導體層。
10.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述顯示器件顯示靜止圖像的時段包括停止向所述像素部分內的全部所述掃描線輸出信號的時段。
11.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述控制信號是高電源電位、低電源電位、時鐘信號、啟動脈沖信號或復位信號。
12.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述多個像素每個還包括發光層。
13.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述第一氧化物半導體層的載流子濃度小于1×1014/cm3。
14.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述第一氧化物半導體層的帶隙為2eV或更大。
15.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述第二晶體管包括其氫濃度為5×1019/cm3或更小的第二氧化物半導體層。
16.根據權利要求9所述的顯示器件,其中所述第二晶體管包括多晶硅層。
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