[發明專利]用于束處理系統的氣體傳輸

有效

• 申請號: 201080051642.4
• 申請日: 2010-11-16
• 公開（公告）號: CN102597312A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: C.D.錢德勒;S.蘭多爾夫;G.哈蒂根
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;C23F4/04;H01L21/3065
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周春梅;譚祐祥

1.一種氣體注入系統，所述氣體注入系統用于將多種處理氣體提供到微束處理系統，微束處理系統具有帶受控環境的樣品腔，所述氣體注入系統包括：

用于提供多種處理氣體的多種氣體源；

流率控制閥，所述流率控制閥與所述多種氣體源的每一種相關聯并且設置在所述樣品腔外部以調節來自相應氣體源的氣體的流率；

截止閥，所述截止閥與所述多種氣體源的每一種相關聯并且設置在所述真空腔內部；

一組第一氣體導管，每個第一氣體導管將來自流率控制閥之一的氣體引導到相應截止閥；以及

一組第二氣體導管，每個第二氣體導管將來自所述相應截止閥的氣體引導到樣品腔環境中。

2.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中，全部第二氣體導管將氣體提供到公共噴嘴，以將處理氣體朝向樣品引導。

3.根據權利要求1所述的氣體注入系統，還包括設置在所述樣品腔外部的氣密性貯柜，所述氣密性貯柜容納流率控制閥以及多種氣體源中的至少一些。

4.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中，所述多種氣體源包括在室溫下呈固態的材料以及在室溫下呈液態的材料。

5.一種微束處理系統，用于將處理氣體提供到具有受控環境的樣品腔，所述微束處理系統包括：

樣品腔，所述樣品腔用于在受控環境下處理工件；

氣體注入系統，所述氣體注入系統包括：

用于提供處理氣體的氣體源；

流率控制閥，所述流率控制閥設置在所述樣品腔外部以調節來自所述氣體源的所述處理氣體的流率；

截止閥，所述截止閥被設置在所述樣品腔內部；

從所述流率控制閥到所述截止閥的第一導管；以及

從所述截止閥到所述樣品腔環境的第二導管；以及

束源，所述束源用于提供束以通過啟動所述處理氣體與工件表面的反應來加工所述工件。

6.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述流率控制閥是循環閥，該循環閥適于通過在打開位置和關閉位置之間交替來控制流體流。

7.根據權利要求6所述的微束處理系統，其中，所述流率控制閥適于以比每秒一次更大的速率在打開位置和關閉位置之間交替。

8.根據權利要求6所述的微束處理系統，其中，所述流率控制閥由脈寬調制電信號驅動。

9.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述截止閥是適于通過在打開位置與關閉位置之間交替來控制流體流的循環閥。

10.根據權利要求5所述的微束處理系統，還包括控制器，所述控制器用于控制所述流率控制閥和截止第二閥的操作，所述控制器被編程以使用第一閥來調節所述處理氣體的流率以及將所述第二閥用作截止閥。

11.根據權利要求5所述的微束處理系統，還包括控制器，所述控制器用于控制所述流率控制閥的操作，所述控制器被編程以通過控制所述閥在每次循環期間打開的時間長度來控制樣品腔中的氣體壓力增加的速率，且其中，所述控制器被編程以通過控制每秒的循環次數來控制所述樣品腔中的壓力。

12.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述束源包括帶電粒子束柱或激光系統。

13.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述流率控制閥包括電磁體，所述電磁體使得柱塞關閉和打開所述閥。

14.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述流率控制閥包括壓電微閥。

15.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述氣體注入系統包括氣密性貯柜，所述氣密性貯柜被設置在所述樣品腔外部并且容納所述氣體源和所述流率控制閥。

16.根據權利要求5所述的微束處理系統，還包括噴嘴，所述噴嘴用于將所述處理氣體引導到所述樣品腔內部的樣品處。

17.根據權利要求5所述的微束處理系統，其中，所述處理氣體包括前體氣體、載體氣體或吹掃氣體。