[發(fā)明專利]使用精細(xì)液態(tài)金屬熔滴的形狀變化的RF MEMS開關(guān)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080051447.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN102640249A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金俊源;孫晟儫;嚴(yán)淳永;樸優(yōu)成;白承凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浦項(xiàng)工科大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01H35/26
• 分類號(hào): H01H35/26;H01H35/24
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種使用精細(xì)液態(tài)金屬熔滴的RF?MEMS開關(guān)，包括：

第一層構(gòu)件，其具有信號(hào)傳輸線；

第二層構(gòu)件，其布置在所述第一層構(gòu)件上，且具有室和通孔，所述室對(duì)應(yīng)于所述信號(hào)傳輸線而形成，以便引起所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴的形狀的變化，以及所述通孔在所述室的一側(cè)形成，以便使所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴與所述信號(hào)傳輸線接觸或不接觸，所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴的形狀在所述室中被改變；

操作構(gòu)件，其布置在所述第二層構(gòu)件上，且設(shè)置在所述室的開口側(cè)，以便通過所述室的所述開口側(cè)將可變形性提供給所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴；以及

第三層構(gòu)件，其用于限定所述操作構(gòu)件的位置，并且耦合到所述第一層構(gòu)件和所述第二層構(gòu)件。

2.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述信號(hào)傳輸線是用于在與所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴接觸時(shí)傳輸RF信號(hào)的DC接觸類型或是用于在與所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴不接觸時(shí)傳輸RF信號(hào)的電容類型。

3.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述室被限定為一空間，該空間在連接所述第二層構(gòu)件的頂部和所述通孔的傾斜表面上從頂部到底部變得越來(lái)越窄。

4.如權(quán)利要求3所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述傾斜表面是改良的。

5.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述操作構(gòu)件由設(shè)置在所述第二層構(gòu)件和所述第三層構(gòu)件之間的流體膜形成，以便向儲(chǔ)存在所述室中的所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴施加壓力。

6.如權(quán)利要求5所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述第三層構(gòu)件包括對(duì)應(yīng)于所述室而安裝的氣密端子，以便將從泵提供的氣動(dòng)壓力施加到所述流體膜。

7.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述室、所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴和所述操作構(gòu)件布置在同一中心線上的向上和向下方向上。

8.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述室包括：

第一空間，其在所述第二層構(gòu)件的上部形成；以及

第二空間，其連接所述第一空間和所述通孔，并且在所述第二層構(gòu)件的下部形成，比所述第一空間小。

9.如權(quán)利要求8所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述第一空間被限定成：

內(nèi)壁，其相對(duì)于所述第二層構(gòu)件的頂表面垂直地形成；以及

底部，其與所述內(nèi)壁垂直且限定所述第二空間。

10.如權(quán)利要求9所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述第二空間在所述底部是寬的，并且朝著所述通孔變得越來(lái)越窄。

11.如權(quán)利要求8所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述第一空間和所述第二空間是改良的。

12.如權(quán)利要求1所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述操作構(gòu)件包括高壓電極和接地的接地電極，所述高壓電極和所述接地的接地電極面向彼此布置在所述室上，以便向儲(chǔ)存在所述室中的所述精細(xì)液態(tài)金屬熔滴施加或不施加靜電。

13.如權(quán)利要求12所述的RF?MEMS開關(guān)，其中所述接地電極包括在圓盤的中心形成的第一圖案和在徑向方向上從所述第一圖案切割的第二圖案，以及

所述高壓電極包括布置在所述第一圖案上的中央部分和沿著所述第二圖案從所述中央部分提取的提取部分。

14.如權(quán)利要求12所述的RF?MEMS開關(guān)，還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述操作構(gòu)件和所述第二層構(gòu)件之間，并密封所述室的所述開口側(cè)。