[發(fā)明專利]通軸旋轉(zhuǎn)位置傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080051276.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-11-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102597706A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | P·布萊克斯勒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | CTS公司 |
| 主分類號(hào): | G01D5/14 | 分類號(hào): | G01D5/14 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 美國(guó)印*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 旋轉(zhuǎn) 位置 傳感器 | ||
1.一種旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,包括:
軸;
磁體,位于所述軸上,適于產(chǎn)生具有強(qiáng)度和方向的磁通量;
傳感器,位于所述磁體的對(duì)面并和所述磁體隔開,且適于感應(yīng)和測(cè)量由于所述軸的旋轉(zhuǎn)位置的改變而引起的由所述磁體產(chǎn)生的磁通量的方向的變化;以及
磁極塊對(duì),位于所述磁體的對(duì)面并和所述磁體隔開,所述磁極塊位于所述傳感器相對(duì)的側(cè)面并和所述傳感器隔開,且適于引導(dǎo)磁通量穿過所述傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中每個(gè)磁極塊包括錐形端,所述錐形端位于所述傳感器的對(duì)面并與所述傳感器隔開,且適于集中磁通量穿過所述傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中每個(gè)磁極塊是弧形的并遵循所述軸的輪廓彎曲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中所述磁體、所述傳感器,和所述磁極塊對(duì)的位置呈大體共面的關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中在所述軸相對(duì)于所述傳感器的旋轉(zhuǎn)的全范圍內(nèi),所述磁極塊對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化由所述磁體產(chǎn)生的磁通量的強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中所述磁體以環(huán)形呈現(xiàn)并圍繞所述軸。
7.一種旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,包括:
細(xì)長(zhǎng)的軸;
磁體,位于所述軸上,且適于產(chǎn)生具有強(qiáng)度和方向的磁通量;
傳感器,與所述軸和所述磁體隔開,且適于感應(yīng)和測(cè)量由所述軸的旋轉(zhuǎn)位置的改變而引起的由所述磁體產(chǎn)生的磁通量方向的變化;以及
磁極塊對(duì),與所述軸和所述磁體隔開并位于所述傳感器的相對(duì)的側(cè)面,無論相對(duì)于所述傳感器的所述軸和所述磁體的旋轉(zhuǎn)位置如何,所述磁極塊對(duì)適于保持磁通量的強(qiáng)度大體不變。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中所述磁體是圍繞所述軸的環(huán)形磁體,每個(gè)磁極塊遵循所述環(huán)形磁體的形狀并包括位于傳感器對(duì)面的錐形端,用于在所述傳感器上集中磁通量。
9.一種旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,包括:
細(xì)長(zhǎng)的軸,包括外表面;
環(huán)形磁體,圍繞所述軸的外表面,所述磁體適于產(chǎn)生具有強(qiáng)度和方向的磁通量;
霍爾效應(yīng)集成電路傳感器芯片,與所述軸和所述磁體隔開,并且適于感應(yīng)和測(cè)量由所述軸的旋轉(zhuǎn)位置的改變引起的由所述磁體產(chǎn)生的磁通量的方向的變化;以及
第一和第二細(xì)長(zhǎng)且呈弧形的磁極塊,與所述軸和所述磁體隔開并位于所述霍爾效應(yīng)集成電路傳感器芯片的相對(duì)側(cè)面,用于在所述軸相對(duì)于所述霍爾效應(yīng)集成傳感器芯片的旋轉(zhuǎn)的全范圍內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)化由所述霍爾效應(yīng)集成電路傳感器芯片感應(yīng)的磁通量的強(qiáng)度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中所述第一和第二磁極塊包括位于所述霍爾效應(yīng)集成電路傳感器芯片對(duì)面的錐形端,用于集中穿過所述霍爾效應(yīng)集成電路傳感器芯片的磁通量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的旋轉(zhuǎn)位置傳感器組件,其中所述第一和第二磁極塊的每個(gè)都具有相同的長(zhǎng)度、厚度,和寬度。
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G01D 非專用于特定變量的測(cè)量;不包含在其他單獨(dú)小類中的測(cè)量?jī)蓚€(gè)或多個(gè)變量的裝置;計(jì)費(fèi)設(shè)備;非專用于特定變量的傳輸或轉(zhuǎn)換裝置;未列入其他類目的測(cè)量或測(cè)試
G01D5-00 用于傳遞傳感構(gòu)件的輸出的機(jī)械裝置;將傳感構(gòu)件的輸出變換成不同變量的裝置,其中傳感構(gòu)件的形式和特性不限制變換裝置;非專用于特定變量的變換器
G01D5-02 .采用機(jī)械裝置
G01D5-12 .采用電或磁裝置
G01D5-26 .采用光學(xué)裝置,即應(yīng)用紅外光、可見光或紫外光
G01D5-42 .采用流體裝置
G01D5-48 .采用波或粒子輻射裝置
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