[發(fā)明專利]用于改善晶片級(jí)封裝的可靠性的再分布層增強(qiáng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080050679.5
• 申請(qǐng)日: 2010-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN102598259A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·凱薩爾·拉希姆;條·周;阿爾卡迪·薩莫伊洛夫;維倫·卡恩德卡爾;勇·力·徐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美士美積體產(chǎn)品公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種晶片級(jí)封裝，它包含：

焊料接合位置陣列，位于所述晶片級(jí)封裝的第一側(cè)上，其特征在于，至少一個(gè)焊料接合位置包含：

球下金屬UBM層，具有UBM直徑；及

再分布層RDL，位置低于且鄰接于所述UBM層，所述RDL包含：

RDL墊區(qū)域，具有RDL墊區(qū)域?qū)挾龋患?/p>

RDL延伸翼區(qū)域，所述RDL延伸翼區(qū)域在從所述RDL墊區(qū)域的中心徑向向外及從所述晶片級(jí)封裝的所述第一側(cè)的中央位置徑向向外或朝向所述晶片級(jí)封裝的所述第一側(cè)的中央位置徑向向內(nèi)的方向上從所述RDL墊區(qū)域延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述至少一個(gè)焊料接合位置包含鄰近于所述晶片級(jí)封裝的每一角落的焊料接合位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述至少一個(gè)焊料接合位置包含圍繞所述焊料接合位置陣列的外圍的焊料接合位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述至少一個(gè)焊料接合位置還包含與鄰近于所述晶片級(jí)封裝的每一角落的所述焊料接合位置鄰接的焊料接合位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述至少一個(gè)焊料接合位置包含與圍繞所述焊料接合位置陣列的所述外圍的所述焊料接合位置鄰接的焊料接合位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述RDL延伸翼區(qū)域從所述RDL墊區(qū)域延伸約42微米+/-28微米的距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述RDL延伸翼區(qū)域具有類似于所述RDL墊區(qū)域的寬度+/-約10微米的寬度。

8.一種晶片級(jí)封裝，它包含：

裸片，具有第一側(cè)及第二側(cè)；

焊料接合位置陣列，位于所述裸片的所述第一側(cè)上，所述陣列按行及列布置；

再分布層RDL，包含每一焊料接合位置處的RDL墊位置，每一RDL墊位置具有墊直徑；及

與所述陣列的角落焊料接合位置一致的角落RDL墊位置包含擴(kuò)張的RDL幾何形狀；每一擴(kuò)張的RDL幾何形狀實(shí)質(zhì)上以從所述第一側(cè)上的中央位置徑向延伸穿過與其一致的所述焊料接合位置的中心位置的線為中心。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，與圍繞所述陣列的外圍的焊料接合位置一致的外圍RDL墊位置包含擴(kuò)張的RDL幾何形狀，所述擴(kuò)張的RDL幾何形狀實(shí)質(zhì)上以從所述第一側(cè)上的所述中央位置徑向延伸穿過與其一致的所述焊料接合位置的所述中心位置的線為中心。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，當(dāng)至少一個(gè)擴(kuò)張的RDL幾何形狀與信號(hào)跡線鄰接時(shí)，所述擴(kuò)張的RDL幾何形狀是從實(shí)質(zhì)上以所述線為中心做調(diào)整。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，與圍繞所述陣列的各種焊料接合位置一致的多個(gè)RDL墊位置包含擴(kuò)張的RDL幾何形狀，所述擴(kuò)張的RDL幾何形狀實(shí)質(zhì)上以從所述第一側(cè)上的所述中央位置徑向延伸穿過與其一致的所述焊料接合位置的所述中心位置的線為中心。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，當(dāng)至少一個(gè)擴(kuò)張的RDL幾何形狀與信號(hào)跡線鄰接時(shí)，所述擴(kuò)張的RDL幾何形狀是從實(shí)質(zhì)上以所述線為中心做調(diào)整。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，每一擴(kuò)張的RDL幾何形狀包含與所述線垂直的寬度，所述寬度等于所述墊直徑加上0到約20微米。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，每一擴(kuò)張的RDL幾何形狀包含與所述線平行的長(zhǎng)度，所述長(zhǎng)度被分成內(nèi)長(zhǎng)度及外長(zhǎng)度，所述內(nèi)長(zhǎng)度是從所述焊料接合位置的所述中心位置朝向所述中央位置測(cè)量，且等于所述墊直徑的一半加上0到70微米，所述外直徑是從所述焊料接合位置的所述中心位置遠(yuǎn)離所述中央位置測(cè)量，且等于所述墊直徑的一半加上14到70微米。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述焊料接合位置陣列大于或等于8×8陣列且小于或等于20×20陣列。