[發明專利]包含無機粒子與聚合物粒子的化學機械拋光(CMP)組合物

有效

• 申請號: 201080050637.1
• 申請日: 2010-11-10
• 公開（公告）號: CN102597142A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: M·勞特爾;V·I·萊曼;Y·李;S·S·文卡塔拉曼;D·K-H·沈
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉金輝;林柏楠

1.一種化學機械拋光(CMP)組合物，其包含：

(A)至少一種分散于液體介質(C)中的無機粒子，

(B)至少一種分散于液體介質(C)中的聚合物粒子，

(C)液體介質，

其中在所述液體介質(C)中的無機粒子(A)的ζ電位與在所述液體介質(C)中的聚合物粒子的ζ電位具有相同符號。

2.根據權利要求1的CMP組合物，其中所述無機粒子(A)的平均粒度與所述聚合物粒子(B)的平均粒度的比率在0.1至5.0范圍內。

3.根據權利要求1或2的CMP組合物，其中聚合物粒子(B)與無機粒子(A)的重量比在0.001至0.2范圍內。

4.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中所述聚合物粒子(B)具有至少一種為陽離子性或能在酸性水相中形成陽離子的官能基。

5.根據權利要求5的CMP組合物，其中所述聚合物粒子(B)具有至少一種為二烷基氨基或咪唑基的官能基。

6.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中在所述液體介質(C)中的無機粒子(A)的ζ電位與在所述液體介質(C)中的聚合物粒子的ζ電位為正。

7.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中所述無機粒子(A)為氧化鋁、氧化鈰、二氧化硅、二氧化鈦或氧化鋯或其混合物。

8.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中所述無機粒子(A)為氧化鈰。

9.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中所述聚合物粒子(B)的濃度不超過所述CMP組合物的0.4重量%。

10.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其中pH值在2.5至7.5范圍內。

11.根據上述權利要求中任一項的CMP組合物，其包含：(A)氧化鈰粒子，

(B)包含至少一種二烷基氨基或咪唑基的聚合物粒子，

(C)水，

其中(A)的平均粒度與(B)的平均粒度的比率在0.1至5.0范圍內，(B)與(A)的重量比在0.001至0.2范圍內，且pH值在2.5至7.5范圍內。

12.一種制備CMP組合物的方法，其包括：

將至少一種無機粒子(A)及至少一種聚合物粒子(B)分散于液體介質(C)中，其中在所述液體介質(C)中的無機粒子(A)的ζ電位與在所述液體介質(C)中的聚合物粒子的ζ電位具有相同符號。

13.一種制造半導體裝置的方法，其包括在根據權利要求1-11中任一項的CMP組合物存在下介電基材表面的化學機械拋光。

14.根據權利要求1-11中任一項的CMP組合物及根據權利要求12或13的方法的用途，其用于半導體工業中所用基材表面的化學機械拋光。

15.根據權利要求1-11中任一項的CMP組合物及根據權利要求12或13的方法的用途，其用于為淺溝槽隔離(STI)裝置的基材表面的化學機械拋光。