[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080050573.5
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN102598269A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 小山潤;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種半導體器件，包括：

在含有硅半導體的襯底上的像素部分，所述像素部分包括：

掩埋于所述襯底中的光電轉(zhuǎn)換元件部分；

電連接至所述光電轉(zhuǎn)換元件部分的轉(zhuǎn)移晶體管；

電連接至所述轉(zhuǎn)移晶體管的信號電荷存儲部分；

電連接至所述信號電荷存儲部分的重置晶體管；

電連接至所述信號電荷存儲部分的放大器晶體管；且

其中所述轉(zhuǎn)移晶體管的溝道形成區(qū)和所述重置晶體管的溝道形成區(qū)包括氧化物半導體，且所述放大器晶體管的溝道形成區(qū)包括所述硅半導體。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移晶體管或所述重置晶體管被形成在所述放大器晶體管上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移晶體管和所述重置晶體管的每一個的截止態(tài)電流是1×10^-13A或更少。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物半導體中的載流子濃度為小于1×10¹⁴A/cm³。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述像素部分電連接至含有互補晶體管的外圍電路部分，該互補晶體管在溝道形成區(qū)具有硅半導體。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，信號電荷存儲部分包括絕緣層作為介電質(zhì)。

7.一種包括如權(quán)利要求1所述的半導體器件的電子設備。