[發(fā)明專利]集成電路中的多寬度特征

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080050411.1
• 申請日: 2010-10-19
• 公開（公告）號: CN102598214A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: B·多里斯;Y·張;程慷果;S·霍姆斯;X·華
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308;H01L21/336
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種用于制造集成電路的特征的方法，其包含以下步驟：

圖案化心軸層以包括在半導體襯底的表面上的具有兩個或更多的寬度的結(jié)構(gòu)；

使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應，以在所述側(cè)壁中一體形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露側(cè)壁中而形成柱體；以及

使用所述柱體作為蝕刻掩模蝕刻在所述柱體之下的一個或多個層，以形成用于集成電路器件的特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應，包括：熱氧化所述側(cè)壁以一體形成所述新化合物

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應包括：應用熱處理以控制所述新化合物進入到所述結(jié)構(gòu)中的延伸寬度。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述一個或多個層包括半導體襯底，以及所述蝕刻在所述柱體之下的一個或多個層的步驟，包括：在所述柱體之下的所述襯底中形成鰭片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括在所述鰭片中形成垂直晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述鰭片包括小于光刻能實現(xiàn)的最小特征尺寸的寬度。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應，包括：使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應直到所述結(jié)構(gòu)中的至少一些完全包括所述新化合物為止。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應，包括：使所述結(jié)構(gòu)的暴露側(cè)壁反應直到所述結(jié)構(gòu)中的至少一些包括來自所述心軸層的材料和所述新化合物為止，且進一步包含：去除來自所述心軸層的所述材料以限定所述柱體。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述柱體形成具有小于光刻能實現(xiàn)的最小特征尺寸的寬度的掩模特征。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項的方法，所述圖案花心軸層的步驟，包含以下步驟：

在基底層上形成心軸層；

在所述心軸層上形成帽層；

圖案化所述帽層以形成心軸掩模；以及

蝕刻所述心軸層以形成具有兩個或更多寬度的心軸。

11.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述鰭片包括至少三個同時形成的不同寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述心軸層由多晶硅形成；所述帽層由氮化物形成；以及所述新化合物由氧化硅形成。

13.一種用于半導體器件的結(jié)構(gòu)，包括：

第一特征和第二特征，所述第一特征和所述第二特征在單一蝕刻過程中同時從同一單片襯底層形成，所述第一特征和所述第二特征被一體形成且連續(xù)地彼此連接；以及

所述第一特征具有小于光刻能實現(xiàn)的最小特征尺寸的寬度尺寸，

所述第二特征具有至少等于光刻能實現(xiàn)的最小特征尺寸的寬度尺寸。