[發(fā)明專利]液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080050152.2 | 申請日: | 2010-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102598233A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 滿倉一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂樹;藤井真二郎 | 申請(專利權(quán))人: | 日立化成工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;金鮮英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液狀 半導(dǎo)體 用粘接劑 組合 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂,所述(B)成分含有(B1)對波長365nm的光的分子吸光系數(shù)為100ml/g·cm以上的化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其中,所述液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物中的溶劑的含量為5質(zhì)量%以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其中,所述(B1)化合物為分子內(nèi)具有肟酯骨架或嗎啉骨架的化合物。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其中,所述(A)成分包含在25℃下為液狀的單官能(甲基)丙烯酸酯。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其進(jìn)一步含有(D)熱自由基產(chǎn)生劑。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其進(jìn)一步含有(E)熱塑性樹脂,并且該(E)成分包含具有酰亞胺基的樹脂。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,其在25℃下的粘度為10~30000mPa·s。
8.一種半導(dǎo)體裝置,其具有通過權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物粘接有半導(dǎo)體元件彼此和/或半導(dǎo)體元件與半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件的結(jié)構(gòu)。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其具有:在半導(dǎo)體晶片的一面上涂布權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,而設(shè)置粘接劑層的工序;對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序;將光照射后的所述粘接劑層和所述半導(dǎo)體晶片一起切斷,而得到帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的工序;以及,將所述帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件,夾著所述帶有粘接劑層的半導(dǎo)體元件的粘接劑層進(jìn)行壓接,從而粘接的工序。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其具有:在半導(dǎo)體元件上涂布權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,而設(shè)置粘接劑層的工序;對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序;以及,將具有光照射后的所述粘接劑層的所述半導(dǎo)體元件與其它半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件,夾著光照射后的所述粘接劑層進(jìn)行壓接,從而粘接的工序。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其具有:在半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件上涂布權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的液狀半導(dǎo)體用粘接劑組合物,而設(shè)置粘接劑層的工序;對所述粘接劑層進(jìn)行光照射的工序;以及,將具有光照射后的所述粘接劑層的所述半導(dǎo)體元件搭載用支撐部件與半導(dǎo)體元件,夾著光照射后的所述粘接劑層進(jìn)行壓接,從而粘接的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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