[發明專利]用于圖案化的磁盤媒體應用的等離子體離子注入工藝

有效

• 申請號: 201080049969.8
• 申請日: 2010-11-03
• 公開（公告）號: CN102598131A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 馬丁·A·希爾金;馬修·D·斯科特奈伊-卡斯爾;羅曼·古科;史蒂文·維哈維伯克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/82
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種在設置于基板上的磁敏感材料上形成磁疇的圖案的方法，包含：

暴露磁敏感層的第一部分至由氣體混合物形成的等離子體歷時一段足夠長的時間，以將所述磁敏感層的經由遮蔽層暴露的所述第一部分的磁性從第一狀態修改成第二狀態，其中所述氣體混合物至少包括含鹵素氣體和含氫氣體。

2.如權利要求1的方法，其中所述含鹵素氣體為選自以下氣體所構成的組：BF₃、BCl₃、CF₄及SiF₄。

3.如權利要求1的方法，其中所述含氫氣體為選自以下氣體所構成的組：BH₃、B₂H₆、P₂H₅、PH₃、CH₄及SiH₄。

4.如權利要求1的方法，其中所述含鹵素氣體為BF₃，并且所述含氫氣體為B₂H₆。

5.如權利要求1的方法，其中暴露進一步包含：

將在所述等離子體中解離的離子注入至所述磁敏感層的所述第一部分。

6.如權利要求5的方法，其中暴露進一步包含：

在注入時在所述第一部分上形成保護層。

7.如權利要求1的方法，其中所述磁敏感層包括設置于第二層上的第一層。

8.如權利要求7的方法，其中所述第一層選自以下物質所構成的組：鐵、鎳、鉑或上述物質的組合，并且所述第二層選自以下物質所構成的組：鈷、鉻、鉑、鉭、鐵、鋱、釓或上述物質的組合。

9.如權利要求1的方法，其中暴露進一步包含：

提供所述氣體混合物至設置于基板支撐組件上的基板表面，所述基板支撐組件設置于處理腔室中；

施加能量給所述氣體混合物，以離子化所述氣體混合物的至少一部分；以及

將在所述等離子體中解離的離子注入至所述磁敏感層的所述第一部分中。

10.如權利要求9的方法，其中將在所述等離子體中解離的離子注入至所述磁敏感層的所述第一部分中進一步包含：

實質上將所述磁敏感層的所述第一部分消磁。

11.一種形成用于硬盤驅動的磁性媒體的方法，包含：

傳送具有磁敏感層和圖案化遮蔽層的基板至處理腔室中，其中所述圖案化遮蔽層設置于所述磁敏感層上，其中所述圖案化遮蔽層限定未受所述遮蔽層保護的第一區域和受所述遮蔽層保護的第二區域；以及

在所述處理腔室中修改未受所述遮蔽層保護的所述磁敏感層的第一部分的磁性，其中修改所述磁敏感層的所述第一部分的磁性進一步包含：

供應氣體混合物至所述處理腔室中，其中所述氣體混合物至少包括BF₃氣體和B₂H₆氣體；

對所述氣體混合物施加RF功率，以使所述氣體混合物解離成反應性離子；以及

將自所述氣體混合物解離的硼離子注入至所述磁敏感層的所述第一區域中，同時在基板表面上形成保護層。

12.如權利要求11的方法，其中修改所述磁敏感層的所述第一區域的磁性包含：

實質上將所述磁敏感層的所述第一區域消磁。

13.如權利要求11的方法，其中修改所述磁敏感層的磁性包含：

將離子注入至深度為所述磁敏感層的至少50％的厚度。

14.如權利要求11的方法，其中所述磁敏感層包括設置于第二層上的第一層，其中所述第一層為選自下列物質所構成的組：鐵、鎳、鉑或上述物質的組合，并且所述第二層選自以下物質所構成的組：鈷、鉻、鉑、鉭、鐵、鋱、釓或上述物質的組合。

15.一種形成用于硬盤驅動的磁性媒體的設備，包含：

處理腔室，能操作用來修改設置在基板上的磁敏感層的第一部分的磁性；

基板支撐組件，設置于所述處理腔室中，所述基板支撐組件具有基板支撐表面；

氣體供應源，配置為供應氣體混合物至所述處理腔室，所述氣體混合物至少包含含鹵素氣體和含氫氣體；以及

射頻功率，耦接至所述處理腔室，并且所述射頻功率具有足夠的功率，以解離供應至所述處理腔室的所述氣體混合物并將自所述氣體混合物解離的離子注入至所述基板的表面，所述基板設置在所述基板支撐組件上。