[發明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201080049922.1 | 申請日: | 2010-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN102598303A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 金敬巖 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;林錦輝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池及其制造方法。
背景技術
近來,隨著能量需求的增長,已經對將太陽能轉化為電能的太陽能電池進行研究。
具體地,已廣泛使用基于CIGS的太陽能電池,所述基于CIGS的太陽能電池是包括玻璃襯底、金屬后電極層、p型基于CIGS的光吸收層、高電阻緩沖層、n型窗口層等的結構的異質結設備。
這種太陽能電池具有形成有多個單元并且串聯使用的板。
當所述多個單元中的任意一個不良單元被損壞時,該板會不能使用并且被丟棄。
發明內容
技術問題
本發明的實施例提供一種太陽能電池及其制造方法,所述太陽能電池能夠將不良電池用作太陽能電池。
技術方案
根據本發明實施例的太陽能電池包括:多個太陽能電池單元,形成在襯底的第一區域上以各自包括后電極圖案、光吸收層、緩沖層和前電極層;金屬膜圖案,形成在所述襯底的第二區域上以將多個太陽能電池單元電連接并且所述金屬膜圖案互相隔開;以及連接單元,形成在所述互相隔開的金屬膜圖案之間。
根據本發明的太陽能電池制造方法包括:在襯底中的第一區域上形成多個后電極圖案以互相隔開,并且將每個所述后電極圖案連接到所述襯底的一個區域,在所述襯底中的第二區域上形成多個互相隔開的金屬膜圖案;在具有所述后電極圖案的所述襯底的所述第一區域上順序形成緩沖層和所述光吸收層;形成穿過所述緩沖層和所述光吸收層的接觸圖案;在具有所述接觸圖案的所述緩沖層和所述光吸收層上形成前電極,然后通過所述緩沖層、所述光吸收層和所述前電極露出所述后電極圖案的一部分,并且形成分隔為單位單元的分隔圖案;將所述太陽能電池單元的形成在所述襯底的第二區域上的不良單元區域的所述后電極圖案電連接;以及在所述第一區域上形成所述后電極圖案、所述光吸收層、所述緩沖層和所述前電極層,并且在所述第二區域上形成所述金屬膜圖案和結晶圖案。
有益效果
根據本發明的實施例的太陽能電池及其制造方法即使在出現不良單元時,也可以通過將與不良單元區域相鄰的單元連接來使用不良單元,而無需扔掉該不良單元。
附圖說明
圖1至12是示出根據本發明實施例的太陽能電池制造過程的剖視圖和平面圖。
具體實施方式
在實施例的描述中,當各個襯底、層、膜、電極等被表述為形成在其它襯底、層、膜、電極“上”或“下”時,“上”或“下”的意思包括“直接地”或通過其它組件“間接地”。此外,將基于附圖描述“上”或“下”的標準。在附圖中,為了描述清楚,可以夸大每個組件的尺寸,并且不意味著實際應用該尺寸。
圖10是示出根據本發明實施例的太陽能電池的剖視圖。
根據本發明實施例的太陽能電池包括多個單元C1、C2、C3、C4、C5、金屬膜圖案250和結晶圖案。
太陽能電池單元C1、C2、C3、C4、C5包含包括在區域A中的后電極圖案200、光吸收層、緩沖層和前電極層500。
金屬膜圖案250形成在第二區域B中,并且與各個后電極圖案連接。
在金屬膜圖案250之間,布置非晶圖案260和結晶圖案270。當第三單元為不良單元時,僅僅在與不良單元相對應的金屬膜之間形成結晶圖案270。
與非晶圖案260毗鄰的金屬膜圖案250不互相電連接,而與結晶圖案270毗鄰的金屬膜圖案250互相電連接,因此可以將不同后電極圖案200電連接。
就是說,金屬膜圖案250可以將不良單元區域中的后電極圖案200和與該不良單元毗鄰的單元的后電極圖案200連接。
在本實施例中,即使結晶圖案270可以布置在金屬膜圖案250之間,以便將所述不良單元區域的所述后電極圖案200電連接,也可以在所述金屬膜圖案250之間布置導電材料280,如圖11所示。
就是說,如圖11所示,在與正常單元區域相對應的金屬膜圖案250之間的區域保持其初始狀態,而導電材料280可以僅僅布置在與不良單元區域相對應的金屬膜圖案250之間。
在此情形中,導電材料280可以由導電漿料或導電膠帶制成。
導電漿料可以是銀(Ag)漿料,導電膠帶可以是碳膠帶。
在下文中,將根據太陽能電池的制造過程更詳細地描述所述太陽能電池。
圖1至圖12是示出根據本發明實施例的太陽能電池制造過程的剖視圖。
首先,如圖1和圖2所示,后電極圖案200形成在襯底100上的第一區域A上。
襯底100可以由玻璃制成,也可以使用諸如氧化鋁的陶瓷襯底、不銹鋼襯底、鈦襯底或聚合物襯底等。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG伊諾特有限公司,未經LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201080049922.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





