[發(fā)明專利]獲得與非極性和半極性P-型(Al，Ga，In)N低電阻接觸的技術(shù)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080049853.4
• 申請日: 2010-10-21
• 公開（公告）號: CN102598207A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: Y-D·林;A·查克拉伯蒂;S·納卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯
• 申請（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;張全信

1.制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：

在(Al，Ga，In)N器件上生長p型層，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型層是非極性或半極性(Al，Ga，In)N層；和

在存在雙(環(huán)戊二烯基)鎂(Cp2Mg)的情況下，冷卻所述p型層，以在所述p型層上形成鎂-氮化物(Mg_xN_y)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述冷卻步驟之后，進(jìn)行金屬沉積以在所述(Al，Ga，In)N器件的所述p型層上制造p型接觸，其中與具有基本上相似組成的極性(Al，Ga，In)N器件的p型接觸相比，所述p型接觸具有更低的接觸電阻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在所述冷卻步驟之后和在進(jìn)行所述金屬沉積之前，對所述p型層進(jìn)行氯化氫(HCl)預(yù)處理，以在所述p型層上制造所述p型接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)行所述冷卻步驟直到達(dá)到至少700攝氏度的溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中進(jìn)行所述冷卻步驟直到達(dá)到至少500攝氏度的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在氮?dú)?N₂)和氨(NH₃)周圍環(huán)境中進(jìn)行所述冷卻步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1制造的(Al，Ga，In)N器件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述(Al，Ga，In)N器件是發(fā)光二極管、激光二極管、p-n結(jié)器件、晶體管、雙極結(jié)晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

9.(Al，Ga，In)N器件，其包括：

在(Al，Ga，In)N器件的p型層上制造的p型接觸，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga，In)N器件，所述p型層是非極性或半極性(Al，Ga，In)N層，且與具有基本上相似組成的極性(Al，Ga，In)N器件的p型接觸相比，所述p型接觸具有更低的接觸電阻率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述p型接觸具有低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接觸電阻率。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述p型層具有足夠低以獲得低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接觸電阻率的氧濃度。

12.制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：

在p型層上制造p型接觸之前，對所述(Al，Ga，In)N器件的所述p型層進(jìn)行氯化氫(HCl)預(yù)處理，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型層是非極性或半極性(Al，Ga，In)N層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中與具有相同組成的極性(Al，Ga，In)N器件的p型接觸相比，所述p型接觸具有更低的接觸電阻率。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述p-型層具有足夠低以獲得低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接觸電阻率的氧濃度。

15.根據(jù)權(quán)利要求12制造的(Al，Ga，In)N器件。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其中所述(Al，Ga，In)N器件是發(fā)光二極管、激光二極管、p-n結(jié)器件、晶體管、雙極結(jié)晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。