[發(fā)明專利]等離子體CVD裝置、及硅薄膜的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080049061.7
• 申請(qǐng)日: 2010-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN102598218A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小森常范;綱岡孝夫;坂本桂太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東麗株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205;C23C16/24;C23C16/505;H01L31/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種等離子體CVD裝置，具有下述(a)～(f)：

(a)真空容器；

(b)排氣設(shè)備，用于將所述真空容器內(nèi)維持在減壓狀態(tài)；

(c)放電電極板，設(shè)置在所述真空容器內(nèi)；

(d)接地電極板，與所述放電電極板隔開間隔地相對(duì)設(shè)置，支承薄膜形成用基板；

(e)高頻電源，對(duì)所述放電電極板外加高頻電力；及

(f)原料氣體供給設(shè)備，向所述真空容器內(nèi)供給薄膜形成用原料氣體，

其中，所述等離子體CVD裝置具有下述(g)～(j)：

(g)多個(gè)氣體導(dǎo)入孔和多個(gè)氣體排出孔，所述多個(gè)氣體導(dǎo)入孔設(shè)置在所述放電電極板中，一端與所述氣體供給設(shè)備連接，另一端在所述放電電極板的一面的多個(gè)位置開口，所述多個(gè)氣體排出孔設(shè)置在所述放電電極板中，從所述多個(gè)氣體導(dǎo)入孔所開口的面貫通至其相對(duì)側(cè)的面；

(h)氣體排出設(shè)備，將從所述多個(gè)氣體排出孔排出的氣體排出至所述真空容器的外部；

(i)接地蓋板，在所述放電電極板和所述接地電極板之間，分別相對(duì)于它們隔開間隔地設(shè)置；及

(j)多個(gè)第2氣體導(dǎo)入孔和多個(gè)第2氣體排出孔，所述多個(gè)第2氣體導(dǎo)入孔貫通所述接地蓋板，設(shè)置在所述接地蓋板的與所述多個(gè)氣體導(dǎo)入孔相對(duì)應(yīng)的位置，所述多個(gè)第2氣體排出孔設(shè)置在所述接地蓋板的與所述多個(gè)氣體排出孔相對(duì)應(yīng)的位置。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，所述氣體排出孔的孔徑為2mm～100mm。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，所述放電電極板和所述接地蓋板的間隔為0.5mm～10mm。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，所述第2氣體排出孔的孔徑為所述氣體排出孔的孔徑的0.5倍～1.5倍。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，在不妨礙所述第2氣體導(dǎo)入孔中的氣體流動(dòng)的范圍內(nèi)，所述第2氣體導(dǎo)入孔的孔徑為7mm以下。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，所述接地蓋板接地。

7.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其中，在所述接地蓋板上設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，在所述接地蓋板和所述接地電極板之間，分別相對(duì)于它們隔開間隔地設(shè)置可控制電位的電位控制板，在所述電位控制板上設(shè)置有貫通所述電位控制板的多個(gè)第3氣體導(dǎo)入孔和多個(gè)第3氣體排出孔，所述多個(gè)第3氣體導(dǎo)入孔位于與所述多個(gè)第2氣體導(dǎo)入孔相對(duì)應(yīng)的位置上，所述多個(gè)第3氣體排出孔位于與所述多個(gè)第2氣體排出孔相對(duì)應(yīng)的位置上。

9.如權(quán)利要求8所述的等離子體CVD裝置，其中，對(duì)所述電位控制板外加的電位為負(fù)電位。

10.一種硅薄膜的制造方法，使用權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，使含有Si化合物的原料氣體進(jìn)行等離子體化，在用于支承薄膜形成用基板的所述接地電極板上支承所述薄膜形成用基板，使硅薄膜在所述基板上堆積。