[發明專利]長期成膜時的穩定性優異的In-Ga-Zn-O系氧化物燒結體濺射靶

有效

• 申請號: 201080048855.1
• 申請日: 2010-11-18
• 公開（公告）號: CN102597302A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 糸瀨將之;矢野公規
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種濺射靶，其特征在于，含有In、Zn、及Ga，

包含表面與內部的化合物的晶型實質上相同的氧化物燒結體。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其中，所述氧化物燒結體的表面的電阻率R1與距表面t/2mm的深部的電阻率R2之比R1/R2為0.4以上2.5以下，所述t是濺射靶的平均厚度。

3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述氧化物燒結體的In、Zn及Ga的原子組成比滿足下述范圍1～6中的任一個，

范圍1

Ga/(In+Ga+Zn)≤0.50

0.58≤In/(In+Zn)≤0.85

In/(In+Ga)≤0.58

范圍2

Ga/(In+Ga+Zn)≤0.50

0.20≤In/(In+Zn)＜0.58

In/(In+Ga)≤0.58

范圍3

0.20＜Ga/(In+Ga+Zn)

0.51≤In/(In+Zn)≤0.85

0.58＜In/(In+Ga)

范圍4

0.00＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.15

0.20≤In/(In+Zn)＜0.51

0.58＜In/(In+Ga)

范圍5

0.00＜Ga/(In+Ga+Zn)≤0.20

0.51≤In/(In+Zn)≤0.85

范圍6

0.15≤Ga/(In+Ga+Zn)

In/(In+Zn)＜0.51

0.58＜In/(In+Ga)。

4.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述實質上相同的晶型僅由一種晶型構成。

5.根據權利要求4所述的濺射靶，其中，所述一種晶型是以In₂Ga₂ZnO₇表示的同系晶體結構，并且滿足所述范圍1的組成比。

6.根據權利要求4所述的濺射靶，其中，所述一種晶型是以InGaO₃(ZnO)表示的同系晶體結構，并且滿足所述范圍2或范圍3的組成比。

7.根據權利要求4所述的濺射靶，其中，所述一種晶型是在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射線的X射線衍射峰的晶體結構，并且滿足所述范圍4的組成比。

8.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述實質上相同的晶型包含以ZnGa₂O₄表示的尖晶石晶體結構、和以In₂O₃表示的紅綠柱石晶體結構，并且滿足所述范圍1或范圍3的組成比。

9.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述實質上相同的晶型包含在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射線的X射線衍射峰的晶體結構、和以In₂O₃表示的紅綠柱石晶體結構，并且滿足所述范圍5的組成比。

10.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述實質上相同的晶型包含在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射線的X射線衍射峰的晶體結構、和以InGaO₃(ZnO)表示的同系晶體結構，并且滿足所述范圍6的組成比。

11.一種權利要求4、5、6及8中任一項所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，包括下述(a)～(e)的工序：

(a)將原料化合物粉末混合而制備混合物的工序；

(b)將所述混合物成形而制備厚6.0mm以上的成形體的工序；

(c)將氣氛以3℃/分鐘以下的升溫速度升溫的工序；

(d)將所述升溫了的成形體再在1280℃以上1520℃以下燒結2小時以上96小時以下，得到厚5.5mm以上的燒結體的工序；

(e)將所述燒結體的表面研削0.25mm以上的工序。