[發明專利]具有富氧界面的抗極化太陽能電池

無效

• 申請號: 201080048499.3
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102668103A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: B·潘;R·張;J·格爾曼;O·希德爾海爾;J·P·拉庫圖尼埃納;A·P·布洛斯;M·克斯
• 申請（專利權）人: 卡利太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;孫向民

1.一種太陽能電池，其包括：

基材，其由第一導電類型的硅組成；

第二導電類型的硅層，其設置于所述基材上；以及

漸變層，其設置于所述硅層上，其中所述漸變層由SiO_xN_y組成，其中所述漸變層由接近所述硅層的富氧變化至遠離所述硅層的富氮。

2.根據前述權利要求中任一項所述的太陽能電池，其中在所述SiO_xN_y漸變層內的氧與在所述SiO_xN_y漸變層內的氧和氮之和的比例在所述漸變層的第一區域內的第一范圍至在所述漸變層的第二區域內的第二范圍之間變化，其中所述漸變層的所述第一區域接近所述硅層，且所述漸變層的所述第二區域遠離所述硅層，且其中所述第一范圍為0.5至0.99，且所述第二范圍為0.01至0.5。

3.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中在所述SiO_xN_y漸變層內的氧與在所述SiO_xN_y漸變層內的氧和氮之和的比例在所述漸變層的第一區域內的第一范圍至在所述漸變層的第二區域內的第二范圍之間變化，其中所述漸變層的所述第一區域接近所述硅層，且所述漸變層的所述第二區域遠離所述硅層，且其中所述第一范圍為0.6至0.99，且所述第二范圍為0.01至0.4。

4.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中在所述SiO_xN_y漸變層內的氧與在所述SiO_xN_y漸變層內的氧和氮之和的比例在所述漸變層的第一區域內的第一范圍至在所述漸變層的第二區域內的第二范圍之間遵循線性分布，其中所述漸變層的所述第一區域接近所述硅層，且所述漸變層的所述第二區域遠離所述硅層。

5.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中在所述SiO_xN_y漸變層內的氧與在所述SiO_xN_y漸變層內的氧和氮之和的比例在所述漸變層的第一區域內的第一范圍至在所述漸變層的第二區域內的第二范圍之間遵循非線性分布，其中所述漸變層的所述第一區域接近所述硅層，且所述漸變層的所述第二區域遠離所述硅層。

6.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中在所述SiO_xN_y漸變層內的氧與在所述SiO_xN_y漸變層內的氧和氮之和的比例在所述漸變層的第一區域內的第一范圍至在所述漸變層的第二區域內的第二范圍之間遵循階梯狀分布，其中所述漸變層的所述第一區域接近所述硅層，且所述漸變層的所述第二區域遠離所述硅層。

7.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中所述漸變層具有30至200納米之間的厚度。

8.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中所述漸變層具有50至140納米之間的厚度。

9.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中所述漸變層具有1.5至2.4范圍內的折射率。

10.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中對應于與所述鈍化層組合的所述漸變層的厚度為30至200納米之間。

11.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中對應于與所述鈍化層組合的所述漸變層的厚度為50至140納米之間。

12.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其中對應于所述漸變層和所述鈍化層的折射率在1.5至2.4的范圍內。

13.根據前述權利要求中之一所述的太陽能電池，其還包括插入所述硅層和所述漸變層之間的氧化硅(SiO_x)鈍化層。

14.根據權利要求13所述的太陽能電池，其還包括在所述漸變層上形成的SiN層，其中SiO_x層、漸變層和SiN層形成設置于所述硅層上的介電堆疊。

15.根據權利要求14所述的太陽能電池，其中所述介電堆疊具有1.5至2.4范圍內的折射率。